深圳众诚达应用材料股份有限公司关泽汉获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳众诚达应用材料股份有限公司申请的专利一种稀土永磁体扩散源材料以及制备方法和晶界扩散方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120425293B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510929777.4，技术领域涉及：C23C10/28；该发明授权一种稀土永磁体扩散源材料以及制备方法和晶界扩散方法是由关泽汉;卢晓鹏;徐红星;刘杰;周贤界;黄勇彪设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种稀土永磁体扩散源材料以及制备方法和晶界扩散方法在说明书摘要公布了：本申请涉及稀土永磁技术领域，提供了一种稀土永磁体扩散源材料以及制备方法和晶界扩散方法。稀土永磁体扩散源材料包括：承载板；阻断层，形成在承载板至少一个表面上；扩散源层，形成在远离承载板的阻断层表面上；其中，承载板由热膨胀系数低于12×10‑6℃、耐热温度高于1000℃的陶瓷材料制成；阻断层的材料包括碳化硼、氮化硼、碳化钨、氮化硅、硼化钛中的至少一种；扩散源层的材料包括稀土金属以及可选择的包括过渡金属。本申请提供的稀土永磁体扩散源材料通过承载板的热稳定性、阻断层的阻断扩散和扩散源层的晶界优化等协同作用，提升磁体的磁性能；同时简化热扩散流程，避免磁体损坏和氧化；且可大批量对磁体进行热扩散处理。
本发明授权一种稀土永磁体扩散源材料以及制备方法和晶界扩散方法在权利要求书中公布了：1.一种稀土永磁体扩散源材料，其特征在于，包括： 承载板； 阻断层，形成在所述承载板至少一个表面上； 扩散源层，形成在远离所述承载板的所述阻断层表面上； 其中，所述承载板由热膨胀系数低于12×10‑6℃、耐热温度高于1000℃的陶瓷材料制成； 所述阻断层的材料包括碳化硼、氮化硼、碳化钨、氮化硅、硼化钛中的至少一种； 所述扩散源层的材料包括稀土金属以及可选择的包括铝、铜中的至少一种。
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