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龙图腾网获悉甬矽电子(宁波)股份有限公司申请的专利堆叠散热封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120432452B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510934179.6，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权堆叠散热封装结构及其制备方法是由何正鸿;王新;钟磊;李利;李立兵设计研发完成，并于2025-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本堆叠散热封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种堆叠散热封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，该堆叠散热封装结构包括衬底、第一芯片、散热胶层、第一散热伪片、第二散热伪片、塑封体和焊球，第一芯片贴装在衬底上，第一芯片的非功能面设置有芯片凹槽；散热胶层设置在芯片凹槽中；第一散热伪片和第二散热伪片均设置在芯片凹槽中，第二散热伪片折弯延伸至第一散热伪片上，且第二散热伪片与第一散热伪片之间形成有散热间隙。相较于现有技术，本发明将第一散热伪片和第二散热伪片均设置在散热胶层上，能够大大提升了散热面积，进而提升了散热效果和散热性能。并且能够有效降低堆叠高度，有助于实现封装结构的小型化。

本发明授权堆叠散热封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种堆叠散热封装结构，其特征在于，包括： 衬底； 贴装在所述衬底上的第一芯片，所述第一芯片的功能面与所述衬底连接，所述第一芯片的非功能面设置有芯片凹槽； 设置在所述芯片凹槽中的散热胶层，所述散热胶层至少覆盖所述芯片凹槽的底壁； 设置在所述芯片凹槽中的第一散热伪片和第二散热伪片，所述第一散热伪片贴装在所述散热胶层上，所述第二散热伪片设置在所述散热胶层上，并折弯延伸至所述第一散热伪片远离所述衬底的一侧，且所述第二散热伪片与所述第一散热伪片之间形成有散热间隙； 设置在所述衬底上的塑封体，所述塑封体包覆于所述第一芯片并填充于所述芯片凹槽，以使所述第一散热伪片和所述第二散热伪片包覆在所述塑封体内； 设置在所述衬底背离所述第一芯片一侧的焊球； 所述第二散热伪片包括呈L形分布的基底散热部和折弯散热部，所述基底散热部贴合在所述散热胶层上，并与所述第一散热伪片的侧壁相间隔，所述折弯散热部由所述基底散热部朝向所述第一散热伪片远离所述衬底的一侧折弯延伸，并与所述第一散热伪片的顶侧表面相间隔，以使所述散热间隙呈L形。

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