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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利高密度重新分布互连封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120453248B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510940291.0，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权高密度重新分布互连封装结构及其制备方法是由何正鸿设计研发完成，并于2025-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本高密度重新分布互连封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供的高密度重新分布互连封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，该封装结构包括基底重布线层、第一芯片、第一塑封体、包覆层、集成重布线层、第一堆叠重布线层、第二芯片和第二塑封体。相较于现有技术，本发明实施例提供的高密度重新分布互连封装结构，通过额外设计第一散热柱，能够大幅提升散热性能，减缓过热现象。同时第一散热柱能够同时嵌设于第一塑封体和包覆层，从而大幅提升封装结构各层的结合力，保证结构稳定性，并减缓封装结构翘曲现象。同时，利用第一导电柱和第二导电柱实现电传导，减少布线层的寄生电感，减缓产生漏电现象导致的布线层之间短路、过热等现象。

本发明授权高密度重新分布互连封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高密度重新分布互连封装结构，其特征在于，包括： 基底重布线层； 第一芯片，所述第一芯片贴装在所述基底重布线层上，并与所述基底重布线层电连接； 第一塑封体，所述第一塑封体包覆于所述第一芯片，且所述第一塑封体内形成有第一导电柱、第二导电柱和第一散热柱，所述第一导电柱的一端连接于所述基底重布线层，另一端外露于所述第一塑封体，所述第二导电柱和所述第一散热柱位于所述第一导电柱外侧，所述第二导电柱的一端连接于所述基底重布线层，另一端伸出所述第一塑封体，所述第一散热柱的一端连接于所述基底重布线层，另一端伸出所述第一塑封体； 包覆层，所述包覆层设置在所述第一塑封体上，并包覆于所述第二导电柱和所述第一散热柱伸出所述第一塑封体的部分，且所述第二导电柱远离所述基底重布线层的一端外露于所述包覆层； 集成重布线层，所述集成重布线层设置在所述第一塑封体远离所述基底重布线层的一侧，并与所述第一导电柱连接； 第一堆叠重布线层，所述第一堆叠重布线层设置在所述包覆层远离所述基底重布线层的一侧，并与所述第二导电柱连接； 第二芯片，所述第二芯片贴装在所述第一堆叠重布线层上，并与所述第一堆叠重布线层电连接； 第二塑封体，所述第二塑封体设置在所述第一堆叠重布线层上，并包覆于所述第二芯片。

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