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龙图腾网获悉山西中科潞安紫外光电科技有限公司申请的专利具有纳米空气隙的外延片、外延片的制备方法及LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120456680B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510946999.7，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权具有纳米空气隙的外延片、外延片的制备方法及LED芯片是由徐广源;李佳璐;李辉;张童;李晋闽设计研发完成，并于2025-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有纳米空气隙的外延片、外延片的制备方法及LED芯片在说明书摘要公布了：本发明属于LED技术领域，具体涉及一种具有纳米空气隙的外延片、外延片的制备方法及LED芯片，外延片包括键合蓝宝石衬底、AlN模板层、n型AlGaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN层、p型GaN接触层，所述键合蓝宝石衬底中间区域形成的梭形纳米空气隙；所述键合蓝宝石衬底上层叠生长AlN模板层、n型AlGaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN层和p型GaN接触层。本发明在蓝宝石衬底中综合应用键合和纳米图形技术，增加光在蓝宝石衬底与空气界面的传播路径，解决了由于衬底和模板的全反射现象导致的深紫外LED光提取效率低问题。

本发明授权具有纳米空气隙的外延片、外延片的制备方法及LED芯片在权利要求书中公布了：1.具有纳米空气隙的外延片，其特征在于：包括键合蓝宝石衬底、AlN模板层3、n型AlGaN层4、多量子阱有源层5、电子阻挡层6、p型AlGaN层7和p型GaN接触层8，所述键合蓝宝石衬底由第一蓝宝石衬底1和第二蓝宝石衬底2通过键合区结合而成；所述第一蓝宝石衬底1的上表面n电极区域设有第一圆锥形凸起键合区101，所述第一蓝宝石衬底1的上表面p电极区域设有第二圆锥形凹坑键合区102；所述第二蓝宝石衬底2的下表面n电极区域设有第一圆锥形凹坑键合区201，所述第二蓝宝石衬底2的下表面p电极区域设有第三圆锥形凹坑键合区202，所述第一圆锥形凸起键合区101与第一圆锥形凹坑键合区201对应键合，所述第二圆锥形凹坑键合区102与第三圆锥形凹坑键合区202对应键合，所述第一蓝宝石衬底1的第二圆锥形凹坑键合区102和第二蓝宝石衬底2的第三圆锥形凹坑键合区202形成梭形纳米空气隙；依次在所述第二蓝宝石衬底2上端层叠生长AlN模板层3、n型AlGaN层4、多量子阱有源层5、电子阻挡层6、p型AlGaN层7和p型GaN接触层8。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山西中科潞安紫外光电科技有限公司，其通讯地址为：046011 山西省长治市高新区漳泽新型工业园区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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