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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利一种硫配位Cu单原子材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120480178B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510206320.0，技术领域涉及：B22F1/054；该发明授权一种硫配位Cu单原子材料及其制备方法与应用是由郑磊;门传龙;刘长虹;吴晨晨;刘伟设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硫配位Cu单原子材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硫配位Cu单原子材料及其制备方法与应用。所述制备方法包括：将Cu单原子材料分散于水中，形成Cu单原子材料分散液，之后与硫辛酸溶液并于光催化条件下搅拌反应4~8h，制得硫配位Cu单原子材料；其中，所述光催化条件包括：波长为254~579nm，功率为12~15mWcm2。本发明中的硫配位Cu单原子材料新颖，制备方法简单，大幅增强了单原子材料的酶活，实现了单原子材料的高效广谱抗菌；同时硫配位Cu单原子材料的接枝率高，配位紧密，能够通过响应环境中的pH变化来控制活性成分的释放，并协同多种酶活从而达到广谱、强效、持久的抗菌性能，将在果蔬保鲜领域有较好的应用前景。

本发明授权一种硫配位Cu单原子材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种硫配位Cu单原子材料的制备方法，其特征在于，包括： 提供Cu单原子材料； 以及，将所述Cu单原子材料分散于水中，形成Cu单原子材料分散液，之后与硫辛酸溶液并于光催化条件下搅拌反应4~8h，制得硫配位Cu单原子材料；其中，所述硫辛酸溶液包括硫辛酸及水，所述光催化条件包括：波长为254~579 nm，功率为12~15mWcm2； 其中，所述Cu单原子材料的制备方法包括： 1提供氮掺杂多孔碳前驱体；其中，所述氮掺杂多孔碳前驱体包括ZIF‑8和或UiO‑66； 2在惰性气氛中，将所述氮掺杂多孔碳前驱体于900~950℃煅烧处理5~7h，制得氮掺杂多孔碳； 3将氮掺杂多孔碳、铜源、含氰化合物、聚合物分别分散于混合溶剂中进行超声处理，之后将所获溶液混合并充分搅拌，然后收集晶体、洗涤、干燥，制得Cu单原子材料前体；其中，所述混合溶剂包括异丙醇及水；所述含氰化合物包括双氰胺钠、双氰胺钾、双氰胺锌、氰化钠中的任意一种或多种的组合；所述聚合物包括三聚氰胺、三聚氰酸一酰胺、聚氰酰胺中的任意一种或多种的组合； 4在惰性气氛中，将所述Cu单原子材料前体于630~680℃煅烧处理2~4h，制得Cu单原子材料。

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