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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利航天器电介质空间电荷分布仿真分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120493591B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510992654.5，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权航天器电介质空间电荷分布仿真分析方法是由宋佰鹏;安文彤;刘悦彤;黎铧蓬;邓家骐;张冠军设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本航天器电介质空间电荷分布仿真分析方法在说明书摘要公布了：一种航天器电介质空间电荷分布仿真分析方法，方法中，获取航天器电介质的实际运行环境参数并计算，实际运行环境参数包括电子能量、流量与介质材料相互作用；建立考虑漂移扩散的自洽电子传输模型，其考虑了载流子在介质内的弹道输运，入陷、脱陷和电子与空穴的复合，以及电子在界面处穿过势垒成为真正的二次电子；在模型中着重考虑了载流子在陷阱影响下的入陷概率；采集航天器电介质的结构参数和本征属性，同时设置材料参数和设置电场的边界条件，建立电荷输运方程；计算电荷输运方程，通过瞬态求解器的连续性方程依次迭代得出航天器电介质内部体电荷、电场、样品电流和二次电子发射系数的仿真结果。

本发明授权航天器电介质空间电荷分布仿真分析方法在权利要求书中公布了：1.一种航天器电介质空间电荷分布仿真分析方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、获取航天器电介质的实际运行环境参数并计算，实际运行环境参数包括电子能量、流量与介质材料相互作用，其中，获取航天器电介质的实际运行环境参数并计算为： ，其中R由以下公式可得： ，式中，jPE表示一次电子在介质内的传输电流，x表示载流子深度，j0表示环境中电子通量密度，η表示背散射系数，p表示指数传输参数，R表示电子透射深度，ρ表示航天器电介质的质量密度，E0表示空间的电子能量； S2、建立考虑漂移扩散的自洽电子传输模型，其着重考虑了载流子在介质内的弹道输运，入陷、脱陷和电子与空穴的复合，以及电子在界面处穿过势垒成为真正的二次电子； S3、在自洽电子传输模型引入载流子在陷阱影响下的入陷概率，其中，自洽电子传输模型中，在陷阱调节部分考虑了普朗克修正，计算公式包括： 自由电荷载流子n在时间t上的捕获和去捕获速率用一阶动力学方程来描述： ，通过用dt=dxvD替换时间并移相，方程被转换为： ，括号内的项是对捕获横截面的校正，其值范围为0到1，其中指数项在确定校正系数值方面起着决定性作用，因此，方程式简化并近似为： ，则被普朗克修正得到的捕获截面为： ，入陷概率为： ，，其中，式中，N表示电子陷阱密度，H表示空穴陷阱密度，ρE表示电子密度，ρH表示空穴密度，SE表示电子陷阱捕获截面，SH表示空穴陷阱捕获截面，e0表示电子的电荷，EE表示电子热激发能，EH表示空穴的热激发能，k表示玻尔兹曼常数，T表示温度，ΔEPF表示场激发能，ε0是真空介电常数，εr是相对介电常数，WE1和WH1表示在陷阱作用下电子和空穴入陷的概率，Δx表示在x深度附近的一小段距离，F表示电场强度，自由运动载流子是n，vD是漂移速度，S是捕获横截面的面积，ρe0是电荷密度，f是普朗克效应的逃逸频率因子，SPF是针对普朗克效应校正的捕获横截面，S0低温下的全截面，ET是热激发能； S4、采集航天器电介质的结构参数和本征属性，同时设置材料参数和设置电场的边界条件，建立电荷输运方程； S5、计算电荷输运方程，通过瞬态求解器的连续性方程依次迭代得出航天器电介质内部体电荷、电场、样品电流和二次电子发射系数的仿真结果。

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