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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种碳化硅MOS构造及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120500085B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510977214.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种碳化硅MOS构造及其制备方法是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅MOS构造及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种碳化硅MOS构造及其制备方法，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和P阱层，单个所述MOS元胞的N漂移层中间处设有轻掺杂N层；本发明通过在N漂移层中间设置轻掺杂N层，并在两侧引入采用顶部倾斜的圆弧状轮廓设计，通过光刻工艺精确控制注入区域有效分散N漂移层边缘电场集中现象，这样使电场分布更加均匀，击穿电压提升，降低了局部电场集中，显著提高了击穿电压，而且侧对称P‑层与N衬底层的接触增强了电荷平衡能力，减少漏电流。

本发明授权一种碳化硅MOS构造及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOS构造，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、源极4和栅极5；所述半导体外延层包括N衬底层2、N漂移层3、P+层8、N阱层9和P阱层10，其特征在于：单个所述MOS元胞的N漂移层3中间处设有轻掺杂N层6； 单个所述MOS元胞的内部且位于N漂移层3的左右两侧设有侧对称P‑层7，两侧所述侧对称P‑层7的相对应侧截面轮廓呈圆弧状；所述侧对称P‑层7的底端与N衬底层2接触，两侧所述侧对称P‑层7的顶端呈相对倾斜状； 所述轻掺杂N层6的内部底端通过离子注入形成有重掺杂N型半层13，所述重掺杂N型半层13的底端与N衬底层2接触；所述重掺杂N型半层13的截面轮廓顶部中间部分呈半圆形状，且顶部两侧呈倾斜状； 所述重掺杂N型半层13的内部中间区域通过离子注入形成有凹形P‑层16，所述凹形P‑层16的底端与N衬底层2接触，所述凹形P‑层16的截面轮廓顶部呈下凹的弧形面； 所述凹形P‑层16的两侧通过离子注入成形有轻掺杂梯形N层17，所述轻掺杂梯形N层17的顶部为倾斜面，且所述轻掺杂梯形N层17的顶部与所述轻掺杂N层6底部两侧平行。

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