山西中科潞安紫外光电科技有限公司贾晓龙获国家专利权
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龙图腾网获悉山西中科潞安紫外光电科技有限公司申请的专利一种垂直结构的深紫外LED外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120500171B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510985175.0，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权一种垂直结构的深紫外LED外延结构及其制备方法是由贾晓龙;张晓娜;崔志强;赵张媛;李晋闽设计研发完成，并于2025-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直结构的深紫外LED外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种垂直结构的深紫外LED外延结构及其制备方法，属于半导体光电技术领域，所述垂直结构的深紫外LED外延结构，包括：衬底，所述衬底的生长面设有三维图形结构；以及依次生长在衬底上的外延层，所述外延层从下自上依次包括：剥离层、n型层、多量子阱层、p型电子阻挡层、p型层以及接触层；其中，所述剥离层由N个周期的AlZGa1‑ZNGaN层上下层叠组成，一个周期的AlZGa1‑ZNGaN层包括层叠的AlZGa1‑ZN层和GaN层，且AlZGa1‑ZN层比GaN层更靠近衬底，N大于等于1，Z位于1%~100%之内。
本发明授权一种垂直结构的深紫外LED外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构的深紫外LED外延结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底的生长面设有三维图形结构； 以及依次生长在衬底上的外延层，所述外延层从下至上依次包括： 剥离层、n型层、多量子阱层、p型电子阻挡层、p型层以及接触层； 其中，所述剥离层由N个周期的AlZGa1‑ZNGaN层上下层叠组成，一个周期的AlZGa1‑ZNGaN层包括层叠的AlZGa1‑ZN层和GaN层，且AlZGa1‑ZN层比GaN层更靠近衬底，N大于等于1，Z位于1%~100%之内； 所述衬底的三维图形结构为孔洞型，所述剥离层覆盖于衬底的表面但不覆盖孔洞底部，孔洞的空隙延伸至n型层后愈合。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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