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龙图腾网获悉成都瓴科微电子有限责任公司申请的专利一种动态零点补偿电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120523278B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511021064.4，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种动态零点补偿电路是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种动态零点补偿电路在说明书摘要公布了：本发明涉及LDO电路技术领域，公开了一种动态零点补偿电路，包括误差放大器、零点补偿模块、功率管模块和动态偏置电压产生模块；误差放大器的输入端接收参考电压Vref和电阻反馈电压FB，误差放大器的输出端为功率管模块提供控制电压；零点补偿模块与误差放大器的输出端电性连接，动态偏置电压产生模块通过镜像功率管模块的动态电流，产生动态的偏置电压反馈给零点补偿模块，用于实时调节补偿的零点，通过动态偏置电压产生模块跟踪功率管电流，实时调节零点补偿模块的零点频率，让补偿零点动态匹配输出极点漂移，从而使得宽负载范围内环路相位裕度充足，有效抑制振荡风险，保障LDO电路的稳定工作。

本发明授权一种动态零点补偿电路在权利要求书中公布了：1.一种动态零点补偿电路，其特征在于，包括误差放大器、零点补偿模块、功率管模块和动态偏置电压产生模块； 所述误差放大器的输入端接收参考电压Vref和电阻反馈电压FB，所述误差放大器的输出端为功率管模块提供控制电压； 所述零点补偿模块与误差放大器的输出端电性连接，为控制电压所在的反馈环路进行相位补偿； 所述动态偏置电压产生模块通过镜像功率管模块的动态电流，产生动态的偏置电压反馈给零点补偿模块，用于实时调节补偿的零点； 所述零点补偿模块包括NMOS管NM1和电容C1，误差放大器通过比较参考电压Vref和电阻反馈电压FB后的输出电压为控制电压vout0，所述控制电压vout0与电容C1的一端连接，所述电容C1的另一端与NMOS管NM1的源极连接，所述NMOS管NM1的漏极接电源Vin，所述NMOS管NM1的栅极接收动态偏置电压产生模块输出的动态偏置电压VB； 所述动态偏置电压产生模块包括第一动态偏置电压产生模块或第二动态偏置电压产生模块； 所述第一动态偏置电压产生模块包括PMOS管MP2、NMOS管NM1、NMOS管NM2和电阻R4，所述PMOS管MP2的栅极接收控制电压vout1，使所述PMOS管MP2复制功率管MP1的电流，所述PMOS管MP2输出镜像电流，所述NMOS管NM1和NMOS管NM2组成电流镜，所述PMOS管MP2的漏极与NMOS管NM2的漏极连接，所述PMOS管MP2输出的镜像电流经NMOS管NM1和NMOS管NM2的二次镜像后与电阻R4连接，通过电阻R4产生动态偏置电压VB，所述动态偏置电压VB为零点补偿模块提供输入信号，所述电阻R4的两端并联有电容C2，所述电容C2用于过滤动态偏置电压VB的高频噪声； 所述第二动态偏置电压产生模块包括PMOS管MP2、电阻R3、电容C2、NMOS管NM1和电阻R4，所述PMOS管MP2的栅极接收控制电压vout1，所述PMOS管MP2的漏极与电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端接地设置，所述电阻R3的两端并联有电容C2，所述电阻R3的两端分别与NMOS管NM1的栅极和源极连接，所述NMOS管NM1的漏极与电阻R4连接，所述PMOS管MP2复制功率管MP1的电流，所述PMOS管MP2输出镜像电流，所述镜像电流通过电阻R3产生偏置电压给NMOS管NM1，所述NMOS管NM1通过电阻R4产生动态偏置电压VB，所述动态偏置电压VB为零点补偿模块提供输入信号； 所述功率管模块包括功率管MP1，所述功率管MP1的栅极与NMOS管NM1的衬底电位电性连接，控制电压vout0经过缓冲器Buf0的隔离后为功率管MP1的栅极提供控制电压vout1，所述功率管MP1的源极接电源Vin。

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