攀枝花镁森科技有限公司;西昌学院陈小宁获国家专利权
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龙图腾网获悉攀枝花镁森科技有限公司;西昌学院申请的专利一种电极降温装置及带长条状电极结构的LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568946B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511061554.7，技术领域涉及：H10H20/858；该发明授权一种电极降温装置及带长条状电极结构的LED芯片是由陈小宁;邹敏设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电极降温装置及带长条状电极结构的LED芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电极降温装置及带长条状电极结构的LED芯片，属于半导体芯片技术领域，包括吸热片、P型降温半导体、散热片、进电组件、N型降温半导体、导电组件和出电组件，进电组件上端侧边安装有N型降温半导体，进电组件右表面上安装有散热片，出电组件安装在散热片上端左侧，出电组件底端侧表面上安装有P型降温半导体，导电组件安装在P型降温半导体与N型降温半导体左端，吸热片安装在导电组件左端。解决了现有技术中由于圆形电极容易出现击穿且电极在高温环境下容易氧化，而导致的容易损坏且使用年限低的问题。提高了LED芯片使用寿命，极大程度上减少了维修与更换，降低了使用成本。
本发明授权一种电极降温装置及带长条状电极结构的LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种电极降温装置，其特征在于，包括： 进电组件14，上端侧边安装有N型降温半导体15，所述进电组件14右表面上安装有散热片13； 出电组件17，安装在所述散热片13上端左侧，所述出电组件17底端侧表面上安装有P型降温半导体12； 导电组件16，安装在所述P型降温半导体12与N型降温半导体15左端； 吸热片11，安装在所述导电组件16左端； 所述进电组件14底部右侧表面上安装有驱动块18，所述驱动块18设置在所述散热片13下方； 所述进电组件14与出电组件17结构相同，所述进电组件14与出电组件17为L型块，所述进电组件14下部上表面上与所述出电组件17顶端上表面上开有插槽19； 所述驱动块18至少包括一种使用状态，所述驱动块18右表面为膨胀端，在第一种使用状态时，所述驱动块18顶端受热，所述驱动块18右端向外膨胀、并抵在放置位置右端，所述驱动块18前后表面同时膨胀，所述驱动块18前后表面抵在所述放置位置前后两端。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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