天合光能股份有限公司雍文炯获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利异质结太阳能电池、光伏组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223402768U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422276873.7，技术领域涉及：H10F77/20；该实用新型异质结太阳能电池、光伏组件是由雍文炯;殷志豪;何瑞;谢小雨;韩玉浩;杨广涛设计研发完成，并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本异质结太阳能电池、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及太阳能电池技术领域，提供一种异质结太阳能电池、光伏组件。该异质结太阳能电池，包括：硅衬底，具有相对设置的第一面和第二面；位于第一面且沿远离所述硅衬底方向依次层叠的第一本征非晶硅层、第一掺杂晶硅层、第一透明导电氧化物层、第一金属种子层、第一金属电极；位于第二面且沿远离所述硅衬底方向依次层叠的第二本征非晶硅层、第二掺杂晶硅层、第二透明导电氧化物层、第二金属种子层、第二金属电极；其中，第一掺杂晶硅层的掺杂类型与第二掺杂晶硅层的掺杂类型相反；第一金属种子层在第一面上的正投影与第一金属电极在第一面上的正投影完全重叠；第二金属种子层在第二面上的正投影与第二金属电极在第二面上的正投影完全重叠。
本实用新型异质结太阳能电池、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括： 硅衬底，所述硅衬底具有相对设置的第一面和第二面； 位于所述第一面且沿远离所述硅衬底方向依次层叠的第一本征非晶硅层、第一掺杂晶硅层、第一透明导电氧化物层、第一金属种子层、第一金属电极； 位于所述第二面且沿远离所述硅衬底方向依次层叠的第二本征非晶硅层、第二掺杂晶硅层、第二透明导电氧化物层、第二金属种子层、第二金属电极； 其中，所述第一掺杂晶硅层的掺杂类型与所述第二掺杂晶硅层的掺杂类型相反； 所述第一金属种子层在所述第一面上的正投影与所述第一金属电极在所述第一面上的正投影完全重叠； 所述第二金属种子层在所述第二面上的正投影与所述第二金属电极在所述第二面上的正投影完全重叠。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天合光能股份有限公司，其通讯地址为：213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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