英特尔公司D.蒂梅高达获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利3D存储器阵列中的字线桥获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109859783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811275863.4，技术领域涉及：G11C8/14；该发明授权3D存储器阵列中的字线桥是由D.蒂梅高达;O.W.容格罗思;D.S.梅雅尔德;K.哈斯纳特设计研发完成，并于2018-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本3D存储器阵列中的字线桥在说明书摘要公布了：本发明公开了3D存储器阵列中的字线桥。本公开内容涉及在存储器单元的相邻瓦片的字线之间提供字线桥，用以减小3D存储器阵列中的字线阶梯的数目。一种装置可以包括具有存储器单元的存储器阵列。所述存储器阵列包括第一瓦片中的存储器单元的页面的第一块以及第二瓦片中的存储器单元的页面的第二块。所述装置还可以包括多晶硅字线桥，所述多晶硅字线桥将所述第一块的第一字线耦合到所述第二块的第二字线，用于将所述第一瓦片耦合到所述第二瓦片。所述字线桥可以通过如下来被形成：在所述第一瓦片、所述第二瓦片上方以及在将所述第一瓦片连接到所述第二瓦片的多晶硅的一部分上方施加硬掩模。
本发明授权3D存储器阵列中的字线桥在权利要求书中公布了：1.一种存储器阵列，包括： 第一瓦片，所述第一瓦片包括第一存储器单元块，所述第一存储器单元块包括第一多个存储器单元和第一字线访问结构，所述第一字线访问结构用于提供对与所述第一多个存储器单元相关联的第一多个字线的访问； 第二瓦片，所述第二瓦片包括第二存储器单元块，所述第二存储器单元块包括第二多个存储器单元和第二字线访问结构，所述第二字线访问结构包括字线阶梯结构，所述字线阶梯结构包括多个台阶，用于提供对与所述第二多个存储器单元相关联的第二多个字线的访问；以及字线桥，用于选择性地将所述第一多个字线耦合至所述第二多个字线； 其中，在经由所述字线桥耦合在一起的所述第一字线访问结构和第二字线访问结构中，只有所述第二字线访问结构包括所述字线阶梯结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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