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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110875301B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910796548.4，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体封装件是由洪志硕;朴辰遇设计研发完成，并于2019-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装件在说明书摘要公布了：本发明可提供一种半导体封装件，包含：第一器件层，包含第一半导体器件、第一覆盖绝缘层以及穿过第一器件层的至少一部分的第一贯穿电极；第二器件层，包含第二半导体器件、第二覆盖绝缘层以及穿过第二器件层的至少一部分的第二贯穿电极，第二半导体器件分别与第一半导体器件垂直交叠，第二覆盖绝缘层与第一覆盖绝缘层接触；第三器件层，包含上部半导体芯片，所述上部半导体芯片与第一半导体器件中的至少两个以及第二半导体器件中的至少两个二者都垂直交叠；以及器件接合焊盘，穿过第一覆盖绝缘层及第二覆盖绝缘层，器件接合焊盘将第一贯穿电极及第二贯穿电极电性连接到上部半导体芯片。

本发明授权半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，包括： 第一器件层，包含第一半导体衬底、多个第一半导体器件、第一覆盖绝缘层以及穿过所述第一器件层的至少一部分的多个第一贯穿电极，所述第一半导体衬底包含其上定位有所述多个第一半导体器件的有源表面，所述第一覆盖绝缘层覆盖所述第一半导体衬底的所述有源表面； 第二器件层，包含第二半导体衬底、多个第二半导体器件、第二覆盖绝缘层以及穿过所述第二器件层的至少一部分的多个第二贯穿电极，所述第二半导体衬底包含其上定位有所述多个第二半导体器件的有源表面，所述第二覆盖绝缘层覆盖所述第二半导体衬底的所述有源表面，所述多个第二半导体器件分别与所述多个第一半导体器件垂直交叠，所述第二覆盖绝缘层与所述第一覆盖绝缘层接触； 第三器件层，包含上部半导体芯片，所述上部半导体芯片与所述多个第一半导体器件中的至少两个垂直交叠且与所述多个第二半导体器件中的至少两个垂直交叠；以及多个器件接合焊盘，穿过所述第一覆盖绝缘层及所述第二覆盖绝缘层，所述多个器件接合焊盘将所述多个第一贯穿电极及所述多个第二贯穿电极电性连接到所述上部半导体芯片。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市灵通区三星路129号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。