松下电器产业株式会社钟之江有宣获国家专利权
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龙图腾网获悉松下电器产业株式会社申请的专利薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和有机EL显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111081734B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911126328.7，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和有机EL显示装置是由钟之江有宣设计研发完成，并于2015-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和有机EL显示装置在说明书摘要公布了：提供使用氧化物半导体的薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和采用该薄膜晶体管元件基板的有机EL显示装置，该薄膜晶体管元件基板在实现接触区域的低电阻化的同时，进一步提高了对水分的阻隔性。薄膜晶体管元件基板1具备第1水分阻隔层6，所述第1水分阻隔层6被设置为覆盖栅极绝缘层4以及栅电极5，并且，被设置为覆盖氧化物半导体层3的接触区域3a1、3a2上的、除了接触区域3a1与源电极8的接合部分、以及接触区域3a2与漏电极9的接合部分之外的区域、和基板2上的不存在氧化物半导体层3的区域。第1水分阻隔层6包含金属氧化物，采用原子层沉积法形成。
本发明授权薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和有机EL显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管元件基板，具备： 基板； 氧化物半导体层，其设置在所述基板上的一部分上，沿着所述基板表面具有沟道区域和夹着所述沟道区域的一对接触区域； 栅电极，其隔着栅极绝缘层设置在所述沟道区域上； 源电极，其与所述一对接触区域的一方接合； 漏电极，其与所述一对接触区域的另一方接合；和第1水分阻隔层，其被设置为覆盖所述栅极绝缘层以及所述栅电极，并且被设置为覆盖下述区域，所述区域是所述氧化物半导体层的所述一对接触区域上的、除了所述接触区域与所述源电极的接合部分以及所述接触区域与所述漏电极的接合部分之外的区域、和所述基板上的没有设置所述氧化物半导体层的区域，所述第1水分阻隔层，包含金属氧化物，并且采用原子层沉积法形成，采用所述原子层沉积法形成的第1水分阻隔层与所述一对接触区域接触并且使所述一对接触区域低电阻化，所述金属氧化物包含选自由AlOx、TiOx、CaOx、HfOx、TaOx、LaOx、YOx构成的组中的至少一种。
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