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龙图腾网获悉同济大学;株洲中车时代半导体有限公司申请的专利3300V的4H-SiC MOSFET设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111261697B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010073187.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权3300V的4H-SiC MOSFET设计方法是由吴江枫;李思思;王翠霞;余有灵;李诚瞻设计研发完成，并于2020-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本3300V的4H-SiC MOSFET设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种3300V的4H‑SiCMOSFET设计方法，采用UMOSFET结构；结构参数优化为：外延层漂移区浓度8e15cm‑3，外延层厚度20μm，沟道长度2.8μm。本文通过设计MOSFET的各项结构参数，在保证功率器件的耐压满足3300V的目标后，进一步优化输出特征量以满足低导通损耗和高频特性。仿真数据表明，结构参数为漂移区浓度8e15cm‑3，厚度25μm，沟长2.8μm，栅氧厚度500A的MOSFET单胞可以达到4310V的击穿电压，6.1mΩ·cm2的比导通电阻，阈值为4.81V，漏极电流110A，在6V漏级电压下栅极电荷是4.25nC。

本发明授权3300V的4H-SiC MOSFET设计方法在权利要求书中公布了：1.一种3300V的4H‑SiC MOSFET设计方法，其特征是，采用UMOSFET结构； 结构参数优化为：外延层浓度8e15 cm‑3，外延层厚度20μm，沟道长度2.8μm； 栅氧厚度为电压阈值为4.81V； 比导通电阻为6.1mΩ·cm2，漏极电流110A，栅漏电荷为1.29nC； 根据式1以及silvaco仿真软件的验证，将外延层厚度初步设为20μm，外延层浓度初步设为8e15cm‑3，栅氧厚度初步设为沟道长度设为2.5μm； ND＝1.10*1020*BV‑1.27       1WD＝2.62*10‑3*BV1.12       2式中：WD表示外延层厚度；ND表示外延层掺杂浓度；BV表示击穿电压； 再进一步优化沟道长度和导通电阻； 建立不同的外延厚度对应的击穿电压BV曲线，并结合外延层厚度与导通电阻的关系，分析确定外延层厚度为20μm； 通过优化增加沟道长度提高耐压值，并结合耐压值与导通电阻的关系，确定优化的沟道长度为2.8μm； 通过调节栅氧厚度或沟道区浓度来控制电压阈值，通过silvaco仿真得出不同栅氧厚度下的电压阈值的转移特征曲线，确定栅氧厚度由优化调整为

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