上海共晶电子科技有限公司;芜湖鼎联电子科技有限公司马明驼获国家专利权
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龙图腾网获悉上海共晶电子科技有限公司;芜湖鼎联电子科技有限公司申请的专利一种功率半导体器件低热阻封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111463184B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010345993.1，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权一种功率半导体器件低热阻封装结构及其制作方法是由马明驼;管安琪;鲜明设计研发完成，并于2020-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率半导体器件低热阻封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种功率半导体器件低热阻封装结构及其制作方法，该封装结构包括在压接塑封体中依次设置的电极互联片、功率芯片和引线框架，所述电极互联片与功率芯片之间的电极压接区域设有压接缓冲层，所述电极互联片与引线框架之间通过引脚焊接层连接，所述引线框架的芯片固晶区周边设有若干塑封体锚固孔。与现有技术相比，本发明实现芯片与电极互联片和引线框架间可靠的电热应力压接，压接塑封体与引线框架间形成温度补偿型贯通式刚性连接，构成芯片的双面散热通道，使器件获得在极端工作条件下更加优良的电热特性和宽泛的安全工作区域。
本发明授权一种功率半导体器件低热阻封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件低热阻封装结构，其特征在于，包括在压接塑封体4中依次设置的电极互联片3、功率芯片2和引线框架1，所述电极互联片3与功率芯片2之间的电极压接区域设有压接缓冲层6，所述电极互联片3与引线框架1之间通过引脚焊接层8连接，所述引线框架1的芯片固晶区周边设有若干塑封体锚固孔9； 将形成芯片输出输入电极与互联系统的压力接触性连接的压接作用力的来源，由来自外部附加的机械式压力元件，改变为器件内部相关结构材料热应变差异性而形成的应变力，压接塑封体4通过塑封体锚固孔9与器件内芯部件成为刚性整体，压接塑封体4采用热塑型高分子材料，压接塑封体4的材料在高温高压条件下的再结晶材质热膨胀系数与相关异质嵌入件材料热膨胀系数的差异所形成的应力差，将产生大于10MPa的压力，实现芯片电极与芯片互联片的可靠压接。
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