苹果公司S·达布拉尔获国家专利权
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龙图腾网获悉苹果公司申请的专利晶圆重组和裸片拼接获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113169080B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980078992.0，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权晶圆重组和裸片拼接是由S·达布拉尔;翟军;K-Y·赖;胡坤忠;V·拉马钱德兰设计研发完成，并于2019-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆重组和裸片拼接在说明书摘要公布了：描述了拼接式裸片封装技术和结构，其中使用晶圆重组和裸片拼接技术形成重组芯片。在一个实施方案中，芯片包括重组的芯片级后道工艺BEOL积层结构310，以连接嵌入在无机间隙填充材料130中的裸片集110,110。
本发明授权晶圆重组和裸片拼接在权利要求书中公布了：1.一种芯片，包括： 包括多个互连的重组的芯片级后道工艺BEOL积层结构； 所述重组的芯片级BEOL积层结构上的裸片集；以及在所述重组的芯片级BEOL积层结构上并围绕所述裸片集的无机间隙填充材料,其中所述裸片集包括第一裸片和第二裸片，所述第一裸片包括第一裸片级BEOL积层结构，并且所述第二裸片包括第二裸片级BEOL积层结构，其中所述重组的芯片级BEOL积层结构包括用于所述第一裸片的裸片内互连、用于所述第二裸片的裸片内互连、以及所述第一裸片和所述第二裸片之间的裸片到裸片互连，其中所述重组的芯片级BEOL积层结构包括第一深通孔和第二深通孔，所述第一深通孔将所述裸片到裸片互连连接到所述第一裸片级BEOL积层结构并且延伸到所述第一裸片级BEOL积层结构中的第一测试焊盘下方，所述第二深通孔将所述裸片到裸片互连连接到所述第二裸片级BEOL积层结构并且延伸到所述第二裸片级BEOL积层结构中的第二测试焊盘下方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苹果公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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