日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113506783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110727861.X，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体结构及其制造方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供的半导体结构及其制造方法，通过介电材料热胀冷缩的变异量，进而阻挡定位并校正电子组件的位移。具体地，在黏晶DieBond之前，先利用加热扩大介电材料所形成的通孔的孔径，再利用冷却缩小该通孔的孔径，进而阻挡定位并校正电子组件的位移。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 基板，包含介电材料，且具有通孔，所述介电材料具有热胀冷缩的特性； 电子组件，设于所述通孔中，所述电子组件与所述通孔的局部壁面接触； 所述局部壁面上具有凸起物，所述凸起物与所述电子组件接触； 所述通孔贯穿所述基板，所述电子组件是在所述通孔加热扩大后置入，并在所述通孔冷却缩小后接触所述通孔的局部壁面； 所述凸起物设有与所述基板的一表面过渡连接的斜面，用于引导所述电子组件移动至预设位置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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