三星显示有限公司朴晙晳获国家专利权
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龙图腾网获悉三星显示有限公司申请的专利显示装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540163B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110313254.9，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权显示装置及其制造方法是由朴晙晳;具素英;金亿洙;金亨俊;孙尙佑;林俊亨;全景辰设计研发完成，并于2021-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供显示装置及其制造方法。显示装置包括：基板；第一栅电极，配置在基板上；缓冲层，配置在第一栅电极上；第一有源图案，配置在缓冲层上且与第一栅电极重叠；第二有源图案，配置在缓冲层上且与第一有源图案间隔开，且包括沟道区域及分别配置在沟道区域的两端部的源极区域和漏极区域；源极图案和漏极图案，分别配置在第一有源图案的两端部上；第一绝缘图案，配置在源极图案与漏极图案之间的第一有源图案上；第二绝缘图案，配置在第二有源图案的沟道区域上；第一供氧图案，配置在第一绝缘图案上且向第一有源图案供给氧；第二供氧图案，配置在第二绝缘图案上且向第二有源图案供给氧；和第二栅电极，配置在第二供氧图案上。
本发明授权显示装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，包括： 基板； 第一栅电极，配置在所述基板上； 缓冲层，配置在所述第一栅电极上； 第一有源图案，配置在所述缓冲层上且与所述第一栅电极重叠，并且由氧化物半导体形成； 第二有源图案，配置在所述缓冲层上且与所述第一有源图案间隔开，由氧化物半导体形成，并且包括沟道区域以及分别配置在所述沟道区域的两端部的源极区域和漏极区域； 源极图案和漏极图案，分别配置在所述第一有源图案的两端部上； 第一绝缘图案，配置在所述源极图案与所述漏极图案之间的所述第一有源图案上； 第二绝缘图案，配置在所述第二有源图案的所述沟道区域上； 第一供氧图案，配置在所述第一绝缘图案上且向所述第一有源图案供给氧； 第二供氧图案，配置在所述第二绝缘图案上且向所述第二有源图案供给氧；以及第二栅电极，配置在所述第二供氧图案上。
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