华灿光电(浙江)有限公司蒋媛媛获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利具有杂质阻挡层的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111552842.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权具有杂质阻挡层的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法是由蒋媛媛;刘旺平设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有杂质阻挡层的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种具有杂质阻挡层的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法，属于半导体器件技术领域。在硅衬底与AlN层之间增加杂质阻挡层，且杂质阻挡层为TiC膜层。由于TiC中的C原子位于Ti子晶格的所有八面体位置，是一种紧密堆积的间隙化合物，能够很好的阻挡来自衬底中向上扩散的杂质，降低硅衬底上生长的外延层中的杂质，提高硅衬底上生长的外延层的晶体质量，提高高电子迁移率晶体管的质量与可靠性。并且TiC膜层与AlN层具有很好的晶格匹配度，提高AlN层的生长质量以提高在AlN层上生长得到的外延层的整体质量，最终有效提高得到的高电子迁移率晶体管的质量与可靠性。
本发明授权具有杂质阻挡层的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有杂质阻挡层的高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述具有杂质阻挡层的高电子迁移率晶体管外延片包括硅衬底以及依次层叠在所述硅衬底上的杂质阻挡层、AlN层、AlGaN缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，所述杂质阻挡层为TiC膜层，所述TiC膜层的致密度为10+E7cm‑3～10+E8cm‑3，所述TiC膜层中的C原子位于Ti子晶格的所有八面体位置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华灿光电(浙江)有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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