华灿光电(浙江)有限公司蒋媛媛获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420757B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111555200.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法是由蒋媛媛;刘旺平设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法，属于半导体器件技术领域。在硅衬底上层叠Ni子层与Ni‑AlN合金子层，由于Ni子层的密度较大，提高在Ni子层上生长得到的外延材料的质量。在Ni子层上的Ni‑AlN合金子层与Ni子层的连接效果较好，并且氮化镓材料在Ni‑AlN合金子层上的生长为异质成核再在晶核的基础上进行生长，异质成核的成核功低，掺杂有Al的AlGaN缓冲层与Ni‑AlN合金子层有同质材料，可以快速生长，同时AlGaN缓冲层中也存在异质成核的情况，可以促进AlGaN缓冲层的快速生长并保证AlGaN缓冲层的质量，有效提高最终得到的高电子迁移率晶体管的制备效率。
本发明授权提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片制备方法，其特征在于，所述提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片制备方法包括： 提供一硅衬底； 在所述硅衬底上依次生长降低成核功复合层、AlGaN缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，所述降低成核功复合层包括依次层叠的Ni子层与Ni‑AlN合金子层； 其中，所述在所述硅衬底上生长降低成核功复合层，包括： 在所述硅衬底上沉积2～10nm的Ni膜层； 在所述Ni膜层上生长50～200nm的AlN膜层； 在温度为1100～1200℃的条件下对所述Ni膜层与所述AlN膜层进行退火以使所述Ni膜层中的Ni渗入AlN膜层中形成Ni‑AlN合金子层，以在所述硅衬底上得到依次层叠的Ni子层与Ni‑AlN合金子层。
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