索泰克公司;法国原子能和替代能源委员会E·奥让德获国家专利权
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龙图腾网获悉索泰克公司;法国原子能和替代能源委员会申请的专利用于射频应用的包括埋置多孔层的半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114424332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080048789.1，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权用于射频应用的包括埋置多孔层的半导体结构是由E·奥让德;F·盖拉德;T·洛恩;E·罗兰;C·维蒂祖;I·伯特兰;F·阿利伯特设计研发完成，并于2020-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于射频应用的包括埋置多孔层的半导体结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于射频应用的半导体结构10，包括：‑由硅制成并且包括中孔层3的承载衬底2；‑设置在所述中孔层3上的介电层4；‑设置在所述介电层4上的表面层5。该结构10特征在于：‑所述中孔层3包括中空孔，所述中空孔的内壁大部分涂覆有氧化物，并且中孔层具有在3μm至40μm之间的厚度并且在其整个厚度上具有超过20千欧姆·厘米的电阻率；‑所述承载衬底2具有在0.5欧姆·厘米至4欧姆·厘米之间的电阻率。本发明还涉及制造半导体结构10的方法。
本发明授权用于射频应用的包括埋置多孔层的半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种用于射频应用的半导体结构10，所述半导体结构包括： ‑承载衬底2，其由硅制成，包括中孔层3； ‑介电层4，其设置在所述中孔层3上； ‑表面层5，其设置在所述介电层4上； 所述半导体结构10的特征在于： ‑所述中孔层3包括中空孔，所述中空孔的内壁涂覆有氧化物，所述中空孔不填充固体材料并且该中孔层3的厚度在3μm至40μm之间，并且在所述中孔层的整个厚度上，所述中孔层3的电阻率超过20千欧姆·厘米； ‑所述承载衬底2的电阻率在0.5欧姆·厘米至4欧姆·厘米之间。
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