朗姆研究公司萨曼莎·西亚姆华·坦获国家专利权
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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利原子层蚀刻和离子束蚀刻图案化获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114430858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080064672.2,技术领域涉及:H01L21/3213;该发明授权原子层蚀刻和离子束蚀刻图案化是由萨曼莎·西亚姆华·坦;塔玛尔·穆克吉;杨文兵;吉里什·迪克西特;潘阳设计研发完成,并于2020-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本原子层蚀刻和离子束蚀刻图案化在说明书摘要公布了:提供了一种相对于掩模而选择性蚀刻堆叠件的方法。提供原子层蚀刻以至少对所述堆叠件进行部分蚀刻,其中所述原子层蚀刻形成至少一些残留物。提供离子束以蚀刻所述堆叠件,其中所述离子束蚀刻将来自所述原子层蚀刻的所述残留物中的至少一些移除。
本发明授权原子层蚀刻和离子束蚀刻图案化在权利要求书中公布了:1.一种相对于掩模而选择性蚀刻堆叠件的方法,其包括: 提供原子层蚀刻以至少对所述堆叠件进行部分蚀刻,其中所述原子层蚀刻形成至少一些再沉积的残留物;以及提供对所述堆叠件的离子束蚀刻,其中所述离子束蚀刻将来自所述原子层蚀刻的所述再沉积的残留物中的至少一些移除。
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