华虹半导体(无锡)有限公司范炜盛获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利用于静电防护的MOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566499B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210185557.1，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权用于静电防护的MOS器件及其制备方法是由范炜盛设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于静电防护的MOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于静电防护的MOS器件及其制备方法，其中MOS器件包括堆叠的第一衬底、埋氧层和第二衬底、位于所述第二衬底中的阱区、栅极、轻掺杂漏区、漏端和源端。其中，所述漏端包括：第一体部和第一齿部；所述源端包括：第二体部和第二齿部，相邻的所述第一齿部与所述第二齿部相对设置且交错排布。本申请通过将漏端的第一齿部和源端的第二齿部设计为交错排布，并且漏端和源端之间的所述轻掺杂漏区能够保证二者电学上的连接，使得漏端和源端在两侧的形状可以形成互补，并且极大地增加了源端和漏端两侧与阱区之间的接触面积，即增加了PN结的结面积，增加了ESD的通流面积，从而提高了器件的静电防护能力。
本发明授权用于静电防护的MOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于静电防护的MOS器件，其特征在于，包括： 第一衬底，所述第一衬底上形成有堆叠的埋氧层和第二衬底； 阱区，所述阱区位于所述第二衬底中； 多个栅极，所述栅极间隔地位于所述阱区的表面上； 多个轻掺杂漏区，各所述轻掺杂漏区均位于各所述栅极的两侧的所述阱区中，其中，各所述轻掺杂漏区在横向上均延伸至相邻的所述栅极底部的所述阱区中，并且所述轻掺杂漏区之间相互不接触； 漏端，所述漏端位于所述轻掺杂漏区之间的所述阱区中；以及，源端，所述源端位于远离所述漏端的所述轻掺杂漏区侧的所述阱区中，其中，所述漏端接外部的IO端，所述源端和所述栅极均接外部电源的地端或者外部电源的正极端； 其中，所述漏端包括：第一体部和位于所述第一体部的两侧的第一齿部；所述源端包括：第二体部和位于所述第二体部的两侧的第二齿部，相邻的所述第一齿部与所述第二齿部相对设置且交错排布。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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