联华电子股份有限公司杨柏宇获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利高电子迁移率晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823888B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110086554.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权高电子迁移率晶体管及其制作方法是由杨柏宇;王珣彣设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包括一基底、一通道层设置在该基底上、一势垒层设置在该通道层上、一第一钝化层设置在该势垒层上、多个沟槽延伸穿过至少部分该第一钝化层，以及一导电板结构设置该第一钝化层上。该导电板结构包括位于该多个沟槽上的一基部，以及多个凸出部自该基部的一下表面延伸至该多个沟槽中。
本发明授权高电子迁移率晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括: 基底； 通道层，设置在该基底上； 势垒层，设置在该通道层上； 第一钝化层，设置在该势垒层上； 多个沟槽，延伸穿过至少部分该第一钝化层；以及导电板结构，设置在该第一钝化层上，其中该导电板结构包括: 基部，位于该多个沟槽上；以及多个凸出部，自该基部的下表面延伸至该多个沟槽中，其中，该多个沟槽的其中一部分穿过该第一钝化层及该势垒层，并延伸至该通道层的上部中；以及该多个沟槽的其中另一部分穿过该第一钝化层并延伸至该势垒层的上部中。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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