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龙图腾网获悉西安北方华创微电子装备有限公司;北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种校准值确定方法和半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944352B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210490450.8，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种校准值确定方法和半导体工艺设备是由钟晨玉;卫晶设计研发完成，并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种校准值确定方法和半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种校准值确定方法，应用于半导体工艺设备，半导体工艺设备包括目标工艺腔室、上射频电源和下射频电源，目标工艺腔室中设置有用于承载晶圆的基座，上射频电源用于激发目标工艺腔室中的工艺气体形成等离子体，下射频电源用于向基座加载射频偏压，该方法包括：获取在预设工艺条件下，多个共同激励CEX锁相角度的预设值对应的等离子体偏压VDC的实测值；对预设值和实测值进行数据拟合，确定实测值随预设值变化的连续函数；根据连续函数，确定CEX锁相角度的校准值，校准值为在预设工艺条件下晶圆表面的VDC值最小时对应的CEX锁相角度值。根据本发明的实施例，可以提升校准值确定的准确性。

本发明授权一种校准值确定方法和半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种校准值确定方法，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备包括目标工艺腔室、上射频电源和下射频电源，所述目标工艺腔室中设置有用于承载晶圆的基座，所述上射频电源用于激发目标所述工艺腔室中的工艺气体形成等离子体，所述下射频电源用于向所述基座加载射频偏压，所述方法包括： 获取在预设工艺条件下，多个共同激励CEX锁相角度的预设值对应的等离子体偏压VDC的实测值； 对所述预设值和所述实测值进行数据拟合，确定所述实测值随所述预设值变化的连续函数； 根据所述连续函数，确定所述CEX锁相角度的校准值，所述校准值为在所述预设工艺条件下所述晶圆表面的VDC值最小时对应的CEX锁相角度值； 其中，所述对所述预设值和所述实测值进行数据拟合，确定所述实测值随所述预设值变化的连续函数，包括： 对所述预设值和所述实测值进行数据拟合，建立拟合函数，所述拟合函数为傅里叶一次展开级数函数，所述拟合函数包括待定参数； 根据多组预设值和所述实测值的数据对，求解得到所述待定参数的参数值； 将所述参数值代入所述拟合函数，得到所述连续函数。

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