武汉光谷信息光电子创新中心有限公司胡晓获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉光谷信息光电子创新中心有限公司申请的专利一种光收发器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211153119.3，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种光收发器及其制造方法是由胡晓;刘阳;刘晔;刘佳;肖希;陈代高;王磊设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光收发器及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种光收发器及其制造方法。所述光收发器包括：三维集成的第一半导体结构和第二半导体结构；第一半导体结构包括：光电探测器、驱动芯片、第一波导结构、多个第一金属电极和多个第一导电通孔结构；其中，所述驱动芯片通过多个所述第一导电通孔结构电连接至多个所述第一金属电极；第二半导体结构包括：电光调制层，所述电光调制层覆盖所述第一波导结构和多个所述第一金属电极；其中，所述电光调制层与多个所述第一金属电极电连接；所述电光调制层、所述第一波导结构和多个所述第一金属电极构成调制器。
本发明授权一种光收发器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光收发器，其特征在于，所述光收发器包括：三维集成的第一半导体结构和第二半导体结构； 第一半导体结构包括：光电探测器、驱动芯片、第一波导结构、多个第一金属电极和多个第一导电通孔结构；其中，所述驱动芯片通过多个所述第一导电通孔结构电连接至多个所述第一金属电极；所述第一金属电极的表面和所述第一波导结构的表面齐平； 第二半导体结构包括：电光调制层，所述电光调制层覆盖所述第一波导结构和多个所述第一金属电极；其中，所述电光调制层与多个所述第一金属电极电连接；所述电光调制层、所述第一波导结构和多个所述第一金属电极构成调制器。
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