格芯新加坡私人有限公司N·穆获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯新加坡私人有限公司申请的专利具有多厚度缓冲介电层的横向扩散金属氧化物半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706148B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210954588.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有多厚度缓冲介电层的横向扩散金属氧化物半导体器件是由N·穆;翁向扬设计研发完成，并于2022-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有多厚度缓冲介电层的横向扩散金属氧化物半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有多厚度缓冲介电层的横向扩散金属氧化物半导体器件。用于横向扩散金属氧化物半导体器件的结构和形成用于横向扩散金属氧化物半导体器件的结构的方法。该结构包括：位于半导体衬底中的漂移阱；位于半导体衬底中的源极区和漏极区；位于半导体衬底上的栅极介电层；以及位于漂移阱上方的半导体衬底上的缓冲介电层。缓冲介电层包括与漏极区相邻的第一侧边缘、与栅极介电层相邻的第二侧边缘、从第二侧边缘延伸到第一侧边缘的第一分段、以及从第二侧边缘朝向第一侧边缘延伸的多个第二分段。第一分段具有第一厚度，并且第二分段具有小于第一厚度的第二厚度。栅极电极包括与缓冲介电层重叠的和与栅极介电层重叠的相应部分。
本发明授权具有多厚度缓冲介电层的横向扩散金属氧化物半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种用于横向扩散金属氧化物半导体器件的结构，所述结构包括： 半导体衬底； 位于所述半导体衬底中的漂移阱； 位于所述半导体衬底中的源极区和漏极区； 位于所述半导体衬底上的栅极介电层； 位于所述漂移阱上方的所述半导体衬底上的缓冲介电层，所述缓冲介电层包括与所述漏极区相邻的第一侧边缘、与所述栅极介电层相邻的第二侧边缘、从所述第二侧边缘延伸到所述第一侧边缘的第一分段、以及从所述第二侧边缘朝向所述第一侧边缘延伸的多个第二分段，所述第一分段具有第一厚度，并且所述第二分段中的每一个具有小于所述第一厚度的第二厚度；以及横向位于所述源极区和所述漏极区之间的栅极电极，所述栅极电极包括与所述缓冲介电层重叠的第一部分和与所述栅极介电层重叠的第二部分，其中，所述缓冲介电层的所述多个第二分段与所述缓冲介电层的所述第一分段的部分沿所述第二侧边缘交替。
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