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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种闪存可靠性特征参数预测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115713052B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211414356.0，技术领域涉及：G06F30/3308；该发明授权一种闪存可靠性特征参数预测方法及系统是由刘政林;潘玉茜;于润泽;黎振豪;汪钊旭设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种闪存可靠性特征参数预测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种闪存可靠性特征参数预测方法及系统，属于存储器技术领域。方法包括：S1，在不同目标操作下，分别计算各闪存芯片样本的可靠性特征参数在执行该目标操作前后的变化量，再根据其分布划分动作；S2，接收使用待测闪存芯片的存储系统发送的闪存可靠性状态；S3，基于当前的预测策略，预测所述闪存可靠性状态对应的动作；S4，比较上一轮预测动作与实际动作，得到回报值，并基于所述回报值更新所述预测策略；其中，所述实际动作与所述存储系统执行所述待执行操作后得到的可靠性特征参数的变化量对应；S5，重复执行S2至S4，直至达到停止条件。从而，本发明不需要庞大的训练数据预先训练就能够进行闪存可靠性特征参数预测。

本发明授权一种闪存可靠性特征参数预测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种闪存可靠性特征参数预测方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，在不同目标操作下，分别计算各闪存芯片样本的可靠性特征参数在执行该目标操作前后的变化量，再根据其分布将各所述变化量划分为多个值或范围，其中，每个值或范围对应一个动作；所述可靠性特征参数包括以下一种或多种：编程时间、读取时间、擦除时间、编程电流、读取电流、擦除电流、功率和原始误码率，所述目标操作包括以下一种或多种：编程、擦除、读取和保存数据； S2，接收使用待测闪存芯片的存储系统发送的闪存可靠性状态，所述闪存可靠性状态包括待测闪存芯片当前的可靠性特征参数值以及待执行操作；所述待执行操作为所述不同目标操作中的一种； S3，基于当前的预测策略，预测所述闪存可靠性状态对应的动作； S4，比较上一轮预测动作与实际动作，得到回报值，若上一轮预测动作与实际动作相符，则回报值为正数，若上一轮预测动作与实际动作不相符，则回报值为0或负数，并基于所述回报值更新所述预测策略，预测策略更新方法为增强学习领域的策略更新方法，目的是最大化不同闪存可靠性状态下的回报值的期望；其中，所述实际动作与所述存储系统执行所述待执行操作后得到的可靠性特征参数的变化量对应； S5，重复执行S2至S4，直至达到停止条件。

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