西安交通大学李强获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种单晶hBN纳米球阵列及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115976638B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211727273.7，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种单晶hBN纳米球阵列及制备方法是由李强;李家兴;房万年;张启凡;云峰设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单晶hBN纳米球阵列及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体光电器件及二维薄膜材料领域，公开一种单晶hBN纳米球阵列及制备方法，在第一衬底表面溅射hBN薄膜；将生长的hBN薄膜的衬底置于倾斜支撑结构上；或将hBN薄膜剥离后转移至第二衬底表面，然后置于倾斜支撑结构上；倾斜支撑结构一侧设置有接收衬底；将hBN薄膜置于激光器正下方，移动激光器，在接收衬底上制得单晶hBN纳米球阵列。本发明实现了纳米球尺寸的调控，使单晶hBN纳米球探测阵列具有灵活多变的特点，以满足不同的应用场景的需求；本发明利用微腔结构具有表面增强效应，阵列的微球结构会增强光与物质的作用，大大提高材料对紫外光的提取能力，提高材料的光电转换效率，从而提高器件响应度。
本发明授权一种单晶hBN纳米球阵列及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶hBN纳米球阵列制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在第一衬底表面溅射hBN薄膜； 将生长的hBN薄膜的衬底置于倾斜支撑结构上；或将hBN薄膜剥离后转移至第二衬底表面，然后置于倾斜支撑结构上；倾斜支撑结构一侧设置有接收衬底； 将hBN薄膜置于激光器正下方，移动激光器，改变激光器的焦距和或倾斜支撑结构的倾角，在接收衬底上制得单晶hBN纳米球阵列； 倾斜支撑结构的倾斜角度的变化范围为30°到60°； 激光器的激光脉冲频率为1kHz～30kHz，工作电流为30A～45A，焦距为±770μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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