中南大学何勇菊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种酶修饰-四硫键掺杂介孔二氧化硅纳米粒及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116036248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310028184.1，技术领域涉及：A61K38/44；该发明授权一种酶修饰-四硫键掺杂介孔二氧化硅纳米粒及其制备方法与应用是由何勇菊;范星宇;周芳芳设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种酶修饰-四硫键掺杂介孔二氧化硅纳米粒及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种酶修饰‑四硫键掺杂介孔二氧化硅纳米粒及其制备方法与应用。所述酶修饰‑四硫键掺杂介孔二氧化硅纳米粒的制备方法，包括如下步骤：1制备四硫键掺杂二氧化硅；2制备四硫键掺杂介孔二氧化硅S4MSN；3制备GOx表面修饰的S4MSN；4制备L‑Arg负载的GOx‑S4MSN。本发明所制得的酶修饰‑四硫键掺杂介孔二氧化硅纳米粒的平均粒径为20～50nm，GOx和L‑Arg的负载率分别为10～20％和8～16％。本发明制备方法操作简单、重复性好，而且制备周期短、成本低，便于推广为大规模工业化生产。
本发明授权一种酶修饰-四硫键掺杂介孔二氧化硅纳米粒及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种酶修饰‑四硫键掺杂介孔二氧化硅纳米粒GOx‑S4MSN@L‑Arg，其特征在于，所述GOx‑S4MSN@L‑Arg由四硫键掺杂介孔二氧化硅S4MSN纳米材料、GOx和L‑Arg组成，所述GOx负载于所述S4MSN纳米材料的表面，所述L‑Arg负载于所述S4MSN纳米材料的孔洞之中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中南大学，其通讯地址为：410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励