长鑫存储技术有限公司潘英获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310004911.0，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权一种封装结构及其形成方法是由潘英设计研发完成，并于2023-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种封装结构及其形成方法，所述封装结构包括：基板；在所述基板上依次堆叠的多个封装单元，每个所述封装单元的边缘呈台阶状；以及塑封层，包覆所述封装单元。本发明提供的封装结构中，封装单元的边缘呈台阶状，在填充封装材料形成塑封层时，台阶状的边缘可以减小封装材料的流动阻力，提高封装材料的流动性和均匀性，使封装材料更容易填充，从而提高塑封层的均匀性与可靠性。
本发明授权一种封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤： 将至少两个晶圆进行混合键合形成键合结构，并将所述键合结构贴附于切割胶带上； 对所述键合结构远离所述切割胶带的一侧进行至少两次切割，至暴露出所述切割胶带以形成多个封装单元，每次切割形成的切割槽的截面尺寸均小于上一次切割形成的切割槽的截面尺寸，使得所述封装单元的边缘呈台阶状； 去除所述切割胶带； 提供一基板，将多个封装单元依次堆叠于所述基板上；以及采用封装材料包覆所述封装单元，以形成封装结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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