长鑫存储技术有限公司章恒嘉获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116266589B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111539946.1，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体结构及其制造方法、存储器是由章恒嘉设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法、存储器，半导体结构包括：基底，基底包括相对的第一侧和第二侧；第一器件层，包括第一器件，设置于基底的第一侧；第二器件层，包括第二器件，设置于基底的第二侧；其中，至少部分第一器件和至少部分第二器件共用第一掺杂区。本公开实施例至少有利于提高基底上器件的集成密度以及提高对基底的利用率。
本发明授权半导体结构及其制造方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括相对的第一侧和第二侧； 第一器件层，包括第一器件，设置于所述基底的第一侧； 第二器件层，包括第二器件，设置于所述基底的第二侧；其中，至少部分所述第一器件和至少部分所述第二器件共用第一掺杂区。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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