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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于调制岛结构的垂直型场效应晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310218002.7，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权基于调制岛结构的垂直型场效应晶体管及其制作方法是由毛维;谢渊源;杨翠;张雅超;杜鸣;张进成;郝跃设计研发完成，并于2023-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于调制岛结构的垂直型场效应晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于调制岛结构的垂直型场效应晶体管及其制作方法，主要解决了现有的氮化镓基功率器件不具备良好双向导通特性，导致其所用电路成本上升，性能下降的问题。其自下而上包括：漏极、衬底层、漂移层、N型GaN沟道层、顶层金属和钝化层，该N型GaN沟道层的两侧分别设有第一P型GaN层和第二P型GaN层，第一P型GaN层被凹槽均匀分割为n块形成调制岛结构，漂移层、N型GaN沟道层和第一P型GaN层上设有调制块金属，第二P型GaN层上设有栅极和栅场板，整个器件的四围设有MESA隔离槽。本发明降低了反向导通开启压降、增大了导通电流，其阻断时泄露电小耐压高，具有良好的双向导通特性，可作为功率开关器件。

本发明授权基于调制岛结构的垂直型场效应晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于调制岛结构的垂直型场效应晶体管，自下而上包括：漏极7、衬底层1、漂移层2和钝化层11，漂移层2上设有N型GaN沟道层3，该N型GaN沟道层3的两侧分别设有第一P型GaN层4和第二P型GaN层5，该N型GaN沟道层3上设有顶层金属6，该N型GaN沟道层3、第一P型GaN层4和第二P型GaN层5的四围设有MESA隔离槽10，第二P型GaN层5上设有栅极8，该栅极8和钝化层11与上设有栅场板12，其特征在于： 所述的漂移层2、N型GaN沟道层3与第一P型GaN层4之上覆盖有调制块金属9，且其分别与漂移层2和N型GaN沟道层3形成肖特基接触，以在关断状态下，通过调制块金属9施加大于漏极7的偏置电压产生由调制块金属9流向漏极7的反向电流，实现反向导通特性； 所述的顶层金属6与调制块金属9共同组成器件的源极； 所述的第一P型GaN层4被n‑1个凹槽13分割成n块，均匀分布在漂移层2之上，形成调制岛结构，以暴露出漂移层2和N型GaN沟道层3，便于调制块金属9分别与漂移层2、N型GaN沟道层3接触，提高器件在阻断情况下的耐压，减少泄漏电流，其中n为大于1的正整数。

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