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龙图腾网获悉兆易创新科技集团股份有限公司申请的专利时钟摆幅增大电路、片上高压生成电路和电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116382398B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111595816.X，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权时钟摆幅增大电路、片上高压生成电路和电子装置是由梅健平;孙锋锋设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本时钟摆幅增大电路、片上高压生成电路和电子装置在说明书摘要公布了：公开了一种时钟摆幅增大电路，片上高压生成电路和电子装置。所述时钟摆幅增大电路包括：输入端子，接收第一时钟信号；输出端子；电容器，第一端接收下降沿延迟的第二时钟信号，第二端连接输出端子；第一NMOS晶体管，源极接地，漏极连接输出端子，栅极接收第三时钟信号；第二开关，连接在电源端子和输出端子之间；其中，在第一和第二时钟信号为高时，第一NMOS晶体管断开，第二开关导通，在第一时钟为低且第二时钟为高时，第一NMOS晶体管导通，第二开关断开，在第一和第二时钟信号为低时，第二开关断开，第一NMOS晶体管用作栅源短接的二极管。本发明通过电容器结合在特定时段内源漏短接的NMOS管提供摆幅范围增加的时钟信号，例如摆幅为‑VTH到VDD的时钟信号。

本发明授权时钟摆幅增大电路、片上高压生成电路和电子装置在权利要求书中公布了：1.一种时钟摆幅增大电路，包括： 输入端子，接收第一时钟信号； 输出端子； 电容器，所述电容器的第一端接收第二时钟信号，第二端连接输出端子，所述第二时钟信号和所述第一时钟信号具有相同的上升沿，所述第二时钟信号的下降沿比所述第一时钟信号的下降沿延迟； 第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的源极接地，漏极连接所述输出端子，栅极接收第三时钟信号，所述第三时钟信号在所述第一时钟信号和所述第二时钟信号电平相同时为低电平，电平不同时为高电平； 第二开关，连接在电源端子和所述输出端子之间； 其中，在所述第一时钟信号和所述第二时钟信号均为高电平时，所述第一NMOS晶体管断开，所述第二开关导通，在所述第一时钟信号为低电平并且所述第二时钟信号为高电平时，所述第一NMOS晶体管导通，所述第二开关断开，在所述第一时钟信号和所述第二时钟信号均为低电平时，所述第二开关断开，所述第一NMOS晶体管用作栅源短接的二极管。

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