上海交通大学付本威获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117123783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310853177.5，技术领域涉及：B22F7/08；该发明授权一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法是由付本威;怀雷;程为铮;邓涛;尚文;陶鹏设计研发完成，并于2023-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法，包括如下步骤：将待烧结碳化硅颗粒增强铝基复合材料表面进行机械打磨，得到铝基碳化硅基体；将铝基碳化硅基体浸入丙酮清洗，去除铝基碳化硅基体表面油脂；将清洁完成之后的铝基碳化硅基体放入超声波清洗机中超声；将铝粉倒入石墨模具中，刮平，保证铝粉与铝基碳化硅基体紧密接触；将烧结组件放入真空压力烧结机中进行压力烧结，在高温压力的作用下，接触表面相互靠近，在一定保温时间后铝粉原子逐渐向铝基碳化硅扩散而形成可靠连接。本发明在合适的烧结温度和施加压强下，在铝基碳化硅基体上成功烧结多孔铝粉，具有较好的毛细作用。
本发明授权一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法在权利要求书中公布了：1.一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤S1，将待烧结碳化硅颗粒增强铝基复合材料表面进行机械打磨，包覆在碳化硅颗粒增强铝基复合材料表面的氧化膜破碎，得到铝基碳化硅基体； 步骤S2，将铝基碳化硅基体浸入丙酮清洗，去除铝基碳化硅基体表面油脂，先浸入10％NaOH3分钟，再浸入10％HNO33‑5分钟，利用化学反应去除残余的氧化膜； 步骤S3，将清洁完成之后的铝基碳化硅基体放入超声波清洗机中超声3‑5分钟，以清洁表面酸、碱和SiC颗粒； 步骤S4，将铝粉倒入石墨模具中，然后刮平，保证铝粉与铝粉、铝粉与铝基碳化硅基体紧密接触得到铝基碳化硅‑铝粉‑石墨磨具组成的烧结组件； 步骤S5，将铝基碳化硅‑铝粉‑石墨磨具组成的烧结组件放入真空压力烧结机中，设定程序进行压力烧结，在高温压力的作用下，接触表面相互靠近，在一定保温时间后，铝粉原子逐渐向铝基碳化硅扩散而形成可靠连接。
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