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龙图腾网获悉杭州众硅电子科技有限公司申请的专利一种用于CMP设备抛光垫沟槽修整的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117245557B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311293600.7，技术领域涉及：B24B53/017；该发明授权一种用于CMP设备抛光垫沟槽修整的方法是由张明琦;盛思杰设计研发完成，并于2023-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于CMP设备抛光垫沟槽修整的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于CMP设备抛光垫沟槽修整的方法，包括以下步骤：获取抛光垫上沟槽的延伸轨迹，并确定沟槽修整起始位置；调整加工头的位置，使其位于沟槽修整起始位置的正上方，并确定加工深度零点；加工头下降，根据加工零点移动到沟槽中预设的加工深度；控制加工头按照旋转抛光垫的沟槽延伸轨迹运动，以对抛光垫上的沟槽进行加深切割。本发明通过所设计的抛光垫沟槽修整装置，可以延长抛光垫的使用寿命，降低使用成本，填补技术上的空白；修整装置上安装摄像头或线激光器作为视觉反馈传感器，结合算法可以识别不同的抛光垫沟槽图案，使装置具有很强的通用性；摄像头或线激光器可以实时反馈刀头与沟槽的位置关系，防止刀头破坏沟槽的图案。

本发明授权一种用于CMP设备抛光垫沟槽修整的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于CMP设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取抛光垫上沟槽的延伸轨迹，并确定沟槽修整起始位置； 调整加工头的位置，使其位于沟槽修整起始位置的正上方，并确定加工深度零点； 加工头下降，根据加工零点移动到沟槽中预设的加工深度； 控制加工头按照旋转抛光垫的沟槽延伸轨迹运动，以对抛光垫上的沟槽进行加深切割； 所述控制加工头按照旋转抛光垫的沟槽延伸轨迹运动，以对抛光垫上的沟槽进行加深切割的步骤中，包括以下子步骤，在加工头所成像表面框选光强检测区域A，记未开始加工时，加工头刀尖处于沟槽内时，光强检测区域A内像素点灰度平均值为记未开始加工时，沟槽内参考区域B内像素点灰度平均值为根据和确定参考值； 加工头开始加工，实时检测光强检测区域A内各像素点灰度平均值当小于参考值，表示加工头未按照预设的加工深度进行切割；当大于参考值，表示加工头按照预设的加工深度进行切割，并记录第一次大于参考值的时间为t1； 在t1时刻后，获取下一次大于参考值的时间间隔tk，若tk0，表示加工头不连续切削，沟槽加工不满足需求；若tk＝0，表示加工头连续切削，沟槽加工满足需求。

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