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龙图腾网获悉东科半导体(安徽)股份有限公司申请的专利一种表面修饰III-V族氮化物材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117457477B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311402587.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种表面修饰III-V族氮化物材料及其制备方法和应用是由赵少峰;谢勇设计研发完成，并于2023-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种表面修饰III-V族氮化物材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及一种表面修饰III‑V族氮化物材料及其制备方法和应用。对III‑V族氮化物材料进行表面清洁，放入气相沉积设备的反应室中；其中，III‑V族氮化物材料包括GaN、AlN、InN中的任一种或其合金；向反应室中通入氢气，调整反应室的压力至设定压力，并升温至设定的反应温度，稳定一段时间，使III‑V族氮化物材料表面预氢化；将气态的硅源通入所述反应室中，在反应温度和设定压力下，使气态的硅源与表面预氢化的III‑V族氮化物材料的表面氢原子发生置换反应，使得Si与III族元素在III‑V族氮化物材料的表面成键，从而将硅基团引入III‑V族氮化物材料的表面；气态的硅源包括有机硅源或无机硅源；反应结束后，降温至室温并取出物料，得到表面修饰III‑V族氮化物材料。

本发明授权一种表面修饰III-V族氮化物材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种表面修饰III‑V族氮化物材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 对III‑V族氮化物材料进行表面清洁，放入气相沉积设备的反应室中；其中，所述III‑V族氮化物材料包括GaN、AlN、InN中的任一种或其合金； 向所述反应室中通入氢气，调整反应室的压力至设定压力，并升温至设定的反应温度，稳定一段时间，使所述III‑V族氮化物材料表面预氢化； 将气态的硅源通入所述反应室中，在所述反应温度和设定压力下，使所述气态的硅源与所述表面预氢化的III‑V族氮化物材料的表面氢原子发生置换反应，使得Si与III族元素在III‑V族氮化物材料的表面成键，从而将硅基团引入III‑V族氮化物材料的表面；所述气态的硅源包括有机硅源或无机硅源； 反应结束后，降温至室温并取出物料，得到所述表面修饰III‑V族氮化物材料。

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