华南理工大学胡博获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种超表面金属光栅增强吸收的雪崩光电探测器及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118039725B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410015011.0，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权一种超表面金属光栅增强吸收的雪崩光电探测器及设备是由胡博;周绍林设计研发完成，并于2024-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超表面金属光栅增强吸收的雪崩光电探测器及设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超表面金属光栅增强吸收的雪崩光电探测器及设备，属于光通信技术领域。其中雪崩光电探测器包括表面正六边形金属光栅、底部反射金属，以及处于两层金属之间的GeSi雪崩光电二极管；表面正六边形金属光栅在入射光的激发下产生表面等离激元，实现光场局部增强，配合雪崩光电二极管的吸收层实现对入射光的强吸收；底部反射金属在透射光的激发下再次产生表面等离激元，与表面正六边形金属光栅形成MIM结构，增强对目标波长入射光的吸收；表面正六边形金属光栅和底部反射金属充当雪崩光电探测器的电极，用于施加反向偏压使雪崩光电探测器处于工作状态。本发明通过引入表面正六边形金属光栅和底部反射金属，实现薄吸收层的强吸收。
本发明授权一种超表面金属光栅增强吸收的雪崩光电探测器及设备在权利要求书中公布了：1.一种超表面金属光栅增强吸收的雪崩光电探测器，其特征在于，包括表面正六边形金属光栅、底部反射金属，以及处于表面正六边形金属光栅和底部反射金属两层金属之间的GeSi雪崩光电二极管； 所述表面正六边形金属光栅在入射光的激发下产生表面等离激元，同时实现光场局部增强，配合所述GeSi雪崩光电二极管的吸收层实现对入射光的强吸收； 所述底部反射金属在透射光的激发下再次产生表面等离激元，同时与所述表面正六边形金属光栅形成MIM结构，进一步增强对目标波长入射光的吸收； 所述表面正六边形金属光栅和所述底部反射金属充当雪崩光电探测器的电极，用于施加反向偏压使雪崩光电探测器处于工作状态。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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