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龙图腾网获悉福州大学;北京智芯微电子科技有限公司申请的专利一种类比运放功率级的自适应死区产生和过零检测复用电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118554758B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410687069.X，技术领域涉及：H02M3/158；该发明授权一种类比运放功率级的自适应死区产生和过零检测复用电路是由李凡阳;邓文仁;潘杰;原义栋;胡毅;沈红伟;温立国设计研发完成，并于2024-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种类比运放功率级的自适应死区产生和过零检测复用电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种类比运放功率级的自适应死区产生和过零检测复用电路类比运放功率级的自适应死区产生和过零检测复用电路，利用开关电源开关节点同时包含了过零信息与死区时间信息这一特点，将两个电路中的检测电路相结合的电路，在具有良好自适应过零检测与自适应死区时间控制的基础上实现了更小的电路面积与功耗。

本发明授权一种类比运放功率级的自适应死区产生和过零检测复用电路在权利要求书中公布了：1.一种类比运放功率级的自适应死区产生和过零检测复用电路，其特征在于：利用开关电源开关节点SW同时包含过零信息与死区时间信息的特点，将自适应过零检测电路与死区时间自适应控制电路中的检测电路相结合，以构成复用电路； 将过零检测与死区时间调制的检测与提取电路复用；并采用电荷泵电路产生控制过零检测与死区时间调制的控制信号； 包括顺次连接的：检测复用电路、状态提取电路、控制电路、失调可控比较器和死区调制电路；其中通过检测复用电路、状态提取电路、控制电路、失调可控比较器构成过零检测提取电路；通过检测复用电路、状态提取电路、控制电路、死区调制电路构成死区时间控制电路； 所述检测复用电路由多个晶体管构成上下两部分检测电路，接入开关电源开关节点SW的电压信号，分别实现两种检测：其中上半部分用于检测下管是否过早开启，下半部分用于检测下管是否过晚开启；VSW电压小于0时，由于晶体管M6的放电电流大于晶体管M5提供的电流，晶体管M11的栅极电压拉低，使得Vearly输出高电平；电阻R与晶体管M4中间连接点的输出为晶体管M8提供一个基准电压，当VSW高于VIN时，晶体管M8提供的电流大于晶体管M7的吸收电流，使得晶体管M9、M10的栅极电压为高电平，Vlate输出高电平； 所述状态提取电路中，通过复用，对于过零检测提取，通过下开关管控制信号VLS对检测复用电路输出的Vearly与Vlate进行采样，并通过脉冲信号产生电路确保电路只会在下管开启后的一小段时间内进行采样；对于死区时间状态提取，由于存在两个死区，因此分别通过上下功率管的控制信号VLS、VHS对Vlate与Vearly进行采样； 所述控制电路采用电荷泵电路；对于过零检测，利用状态提取电路中输出的VDN、VUP 控制过零检测电荷泵，当下功率管LS过早开启时DN输出高电平，过零检测控制信号VCTR电压降低；当UP输出低电平，则VCTR电压升高；对于死区控制，只需要控制死区时间减小的信号，当VUP_DEAD_ON和VUP_DEAD_OFF为低电平时，说明对应的死区的死区时间过大，两个信号通过控制电荷泵输出VCTR_DEAD_ON 与VCTR_DEAD_OFF上升以控制死区减小； 所述死区调制电路采用交叉耦合的结构；并在交叉耦合的基础上加入死区时间控制延时单元DLAY_DEAD，其延时分成两部分，第一部分是由电阻R2和电容C3构成的固定延迟td1； 第二部分则是控制电路电荷泵中输出的控制电压偏置电流，与固定延时并联的方式减小延时。

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