拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司周伟杰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利抽气环及其组装方法、反应腔室及薄膜沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118563277B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311746577.2，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权抽气环及其组装方法、反应腔室及薄膜沉积方法是由周伟杰;孟亮;姜崴设计研发完成，并于2023-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本抽气环及其组装方法、反应腔室及薄膜沉积方法在说明书摘要公布了：本发明提供了抽气环及其组装方法、反应腔室及薄膜沉积方法。所述抽气环包括：内环，其上分布有的多个内抽气孔；外环，其上分布有多个外抽气孔，并经由设于外侧环状抽气管道的至少一端的抽气口连接真空泵；以及至少一个挡板，沿周向设于所述内环与所述外环之间靠近所述抽气口的位置，用于阻隔靠近所述抽气口的至少一个第一内抽气孔向靠近所述抽气口的至少一个第一外抽气孔的气路，以提升所述第一内抽气孔与所述第一外抽气孔之间的气体流阻。
本发明授权抽气环及其组装方法、反应腔室及薄膜沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种抽气环，其特征在于，包括： 内环，其上分布有的多个内抽气孔； 外环，其上分布有多个外抽气孔，并经由设于外侧环状抽气管道的至少一端的抽气口连接真空泵； 至少一个挡板，沿周向设于所述内环与所述外环之间靠近所述抽气口的位置，用于阻隔靠近所述抽气口的至少一个第一内抽气孔向靠近所述抽气口的至少一个第一外抽气孔的气路，以提升所述第一内抽气孔与所述第一外抽气孔之间的气体流阻；以及所述抽气环经由以下步骤组装：确定薄膜沉积工艺中的目标抽气速率、抽气起点气压和或抽气终点气压；根据所述抽气起点气压和或所述抽气终点气压，以所述目标抽气速率，对未安装所述挡板的抽气环进行抽气，以测量流经各内抽气孔及其对应外抽气孔之间的气体流量；根据流经各所述内抽气孔及其对应外抽气孔之间的气体流量，确定各所述内抽气孔及其对应外抽气孔之间的气体流阻；根据各所述气体流阻之间的差异，确定所述抽气环上的至少一个位置需要的补偿流阻；以及根据所述需要的补偿流阻，向对应位置安装对应长度和或占空比的挡板。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励