长鑫科技集团股份有限公司陶韬获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法及其半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118742032B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410797117.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构的制备方法及其半导体结构是由陶韬;刘国全;吴小鹏设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法及其半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构的制造方法及其半导体结构。方法包括：提供基底；在基底上形成叠层结构，叠层结构由第一层和第二层在第三方向上交替堆叠而成，第三方向垂直于基底表面；形成第一开口，第一开口沿第三方向穿过叠层结构且延伸至基底内；在第一开口中形成填充层，填充层的顶面不低于基底的上表面，剩余的第一开口作为第二开口；通过第二开口刻蚀去除部分第二层以形成第三开口；在第三开口中形成位线结构，位线结构沿第二方向延伸且在第一方向和第三方向均间隔设置；形成介质层，介质层至少填满第二开口。
本发明授权一种半导体结构的制备方法及其半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成叠层结构，所述叠层结构由第一层和第二层在第三方向上交替堆叠而成，所述第三方向垂直于所述基底表面； 形成第一开口，所述第一开口沿所述第三方向穿过所述叠层结构且延伸至所述基底内，所述第一开口延伸至所述基底内的深度为第一深度； 形成第一保护层，所述第一保护层至少覆盖所述第一开口的侧壁和底部； 在所述第一开口中形成预制填充层，所述预制填充层至少填满所述第一开口，去除部分所述预制填充层以形成填充层，同时去除部分所述第一保护层以形成第二保护层，所述第二保护层沿所述第一开口的侧壁具有第二深度，所述第二深度等于所述第一深度，所述填充层的顶面不低于所述基底的上表面，剩余的所述第一开口作为第二开口； 通过所述第二开口刻蚀去除部分所述第二层以形成第三开口； 在所述第三开口中形成位线结构，所述位线结构沿第二方向延伸且在第一方向和所述第三方向均间隔设置； 形成介质层，所述介质层至少填满所述第二开口。
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