长鑫存储技术有限公司王春阳获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118763054B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310312368.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及制备方法是由王春阳;吴双双;高远皓;章慧;陈军;徐玉婷设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及制备方法，方法包括：提供基底，第一区表面具有电路单元以及第一焊盘；形成位于基底、电路单元以及第一焊盘表面的第一介质层、位于对应于电路单元的第一介质层表面以及对应于第二区的第一介质层表面的第二介质层；在同一刻蚀工艺中，第一介质层的刻蚀速率大于第二介质层的刻蚀速率；形成暴露出电路单元顶面的第一凹槽以及暴露出第一焊盘顶面的第二凹槽；在第一凹槽内形成第一接触结构，在第二凹槽内形成第二接触结构；在第二区的第二介质层、第一接触结构以及第二接触结构表面分别形成第二焊盘；图形化第二区、第一介质层以及第二介质层形成通孔，通孔的底部暴露出第二焊盘底面。
本发明授权半导体结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括依次排布的第一区以及第二区，所述第一区表面具有电路单元以及第一焊盘； 形成第一介质层以及第二介质层，所述第一介质层位于所述基底、电路单元以及第一焊盘表面，所述第二介质层位于对应于所述电路单元的第一介质层表面以及对应于所述第二区的第一介质层表面；在同一刻蚀工艺中，所述第一介质层的刻蚀速率大于所述第二介质层的刻蚀速率； 图形化所述第一介质层以及第二介质层形成暴露出所述电路单元顶面的第一凹槽以及暴露出所述第一焊盘顶面的第二凹槽； 在所述第一凹槽内形成第一接触结构，在所述第二凹槽内形成第二接触结构； 在所述第二区的第二介质层、所述第一接触结构以及第二接触结构表面分别形成第二焊盘； 图形化所述第二区、第一介质层以及第二介质层形成通孔，所述通孔的底部暴露出所述第二焊盘底面。
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