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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种宽禁带半导体器件终端结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118782635B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410917581.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种宽禁带半导体器件终端结构及其制造方法是由成志杰;袁俊;郭飞;王宽;吴阳阳;陈伟;徐少东设计研发完成，并于2024-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽禁带半导体器件终端结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种宽禁带半导体器件终端结构及其制造方法，该终端结构包括嵌于三明治外延结构的主结以及末端截止区；三明治外延结构包括沿第一方向依次堆叠的第一N型外延层、P型埋层以及第二N型外延层；有源区、主结以及末端截止区沿第二方向依次排列；主结与有源区接触，末端截止区与主结间隔预设距离；第二方向与第一方向垂直；主结包括贯穿第二N型外延层和P型埋层并嵌于第一N型外延层的第一P型离子掺杂区；末端截止区包括贯穿第二N型外延层和P型埋层并嵌于第一N型外延层的第一N型离子掺杂区。由此，以末端截止区截断P型埋层，以主结减轻有源区电场拥挤，为具有三明治外延结构的宽禁带半导体器件提供了高可靠性终端结构。

本发明授权一种宽禁带半导体器件终端结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体器件终端结构，其特征在于，匹配于基于三明治外延结构的有源区，所述终端结构包括：嵌于三明治外延结构的主结以及末端截止区； 所述三明治外延结构包括沿第一方向依次堆叠的第一N型外延层、P型埋层以及第二N型外延层；所述三明治外延结构中，所述第一N型外延层位于靠近衬底的一侧，所述第二N型外延层位于背离衬底的一侧； 所述有源区、所述主结以及所述末端截止区沿第二方向依次排列；所述主结与所述有源区接触，所述末端截止区与所述主结间隔预设距离；所述第二方向与所述第一方向垂直； 所述主结包括贯穿所述第二N型外延层和所述P型埋层并嵌于所述第一N型外延层的第一P型离子掺杂区； 所述末端截止区包括贯穿所述第二N型外延层和所述P型埋层并嵌于所述第一N型外延层的第一N型离子掺杂区； 所述主结与所述末端截止区之间还具有第二P型离子掺杂区；所述第二P型离子掺杂区位于所述末端截止区与所述主结之间的第二N型外延层，与所述第一P型离子掺杂区和所述第一N型离子掺杂区接触；所述第二P型离子掺杂区具有多个离子掺杂浓度不同的区域。

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