长鑫存储技术有限公司刘翔获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、晶体管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118785691B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310324252.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法、晶体管结构是由刘翔设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、晶体管结构在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法、晶体管结构，半导体结构包括衬底及字线结构；其中，衬底具有间隔分布且沿第一方向和第二方向阵列排布的多个有源柱组，有源柱组包括在第一方向上相对且通过分隔槽隔开的两个半导体柱；字线结构包括与任一有源柱组对应设置的一个第一字线结构和两个第二字线结构，第一字线结构位于分隔槽内。其中，第二字线结构和第一字线结构均沿第二方向延伸，第一字线结构位于第二字线结构沿第三方向远离分隔槽的底部的位置。上述半导体结构能够改善第一字线结构底部尖端易产生栅诱导漏极泄漏电流的问题，提高晶体管的可靠性；并且降低填充难度以及减小电阻，以提高晶体管的整体性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法、晶体管结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底内形成具有间隔分布且沿第一方向和第二方向阵列排布的多个有源柱组； 所述有源柱组包括在第一方向上相对且通过分隔槽隔开的两个半导体柱； 于所述分隔槽内形成第一字线结构，并于所述有源柱组中的两个半导体柱沿所述第一方向背离所述分隔槽的侧壁上分别形成第二字线结构，与任一有源柱组对应设置的一个所述第一字线结构和两个所述第二字线结构共同构成字线结构； 其中，所述第二字线结构和所述第一字线结构均沿第二方向延伸，且所述第二字线结构和所述第一字线结构在沿所述第一方向上错位设置，所述第一字线结构位于所述第二字线结构沿第三方向远离所述分隔槽的底部的位置，其中，所述第一方向、所述第二方向及所述第三方向两两垂直； 所述于所述衬底内形成具有间隔分布且沿第一方向和第二方向阵列排布的多个有源柱组之前，还包括： 于所述衬底内进行离子注入，以形成由下至上依次叠置的位线接触区、沟道区以及源漏区。
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