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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利电容结构及其制备方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118785692B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310327722.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权电容结构及其制备方法、存储器是由曹新满设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本电容结构及其制备方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开提供一种电容结构及其制备方法、存储器，涉及半导体技术领域。该电容结构包括层叠设置的第一电容单元和第二电容单元。第一电容单元包括阵列排布的多个第一电容，第二电容单元包括阵列排布的多个第二电容，一个第一电容的电极和一个第二电容的电极对应连接。第一电容单元和第二电容单元之间设置有支撑层，支撑层包括阵列排布的多个支撑结构，支撑结构位于第一电容和第二电容之间。第一电容的电极靠近支撑结构一侧的横截面积大于第二电容的电极靠近支撑结构一侧的横截面积。该电容结构通过减小第二电容的电极与第一电容的电极连接一端的横截面面积，降低两个层叠电容的对位难度，进而解决多层电容的制备难度较大的技术问题。

本发明授权电容结构及其制备方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种电容结构，其特征在于，包括层叠设置的第一电容单元和第二电容单元，所述第二电容单元层叠设置在所述第一电容单元的顶部；所述第一电容单元包括阵列排布的多个第一电容，所述第一电容包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极之间设置有第一电容介质层；所述第二电容单元包括阵列排布的多个第二电容，所述第二电容包括第三电极和第四电极，所述第三电极和所述第四电极之间设置有第二电容介质层；所述第一电极和所述第三电极对应连接，所述第二电极和所述第四电极对应连接； 所述第一电容单元和所述第二电容单元之间设置有支撑层，所述支撑层包括阵列排布的多个支撑结构，所述支撑结构位于对应的所述第二电极和所述第四电极之间； 所述第一电容的电极靠近所述支撑结构一侧的横截面积大于所述第二电容的电极靠近所述支撑结构一侧的横截面积； 和或，所述电容结构还包括多个辅助支撑结构，至少部分所述辅助支撑结构位于对应的所述第二电极和所述第四电极之间，并抵接于所述支撑结构靠近所述第二电极的一侧。

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