长鑫存储技术有限公司曹新满获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构、半导体结构的制备方法与存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118785694B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310341070.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构、半导体结构的制备方法与存储器是由曹新满设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、半导体结构的制备方法与存储器在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法与存储器，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底；衬底内形成有至少一个有源区；位线结构，位于衬底上；接触窗，位于位线结构的至少一侧，与位线结构相邻；导电层，位于接触窗的上方；其中，位线结构包括位线、位线保护层、第一空气隙，位线保护层覆盖位线的侧壁，第一空气隙位于位线保护层内；位线电连接到有源区的漏区和源区中的一者，接触窗电连接到另一者；接触窗的上表面高于第一空气隙的上表面。本公开增加了第一空气隙内的含氧小分子和氧自由基游离到接触窗导电层或接触窗金属硅化层界面处的难度，改善了接触窗氧化的问题。
本发明授权半导体结构、半导体结构的制备方法与存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底；所述衬底内形成有至少一个有源区； 位线结构，位于所述衬底上； 接触窗，位于所述位线结构的至少一侧，与所述位线结构相邻； 导电层，位于所述接触窗的上方； 其中，所述位线结构包括位线、位线保护层、第一空气隙，所述位线保护层与所述第一空气隙位于所述位线的存在所述接触窗的一侧或两侧，所述位线保护层覆盖所述位线的侧壁，所述第一空气隙位于所述位线保护层内；所述位线电连接到所述有源区的漏区和源区中的一者，所述接触窗电连接到另一者；所述接触窗的上表面高于所述第一空气隙的上表面，所述接触窗的上表面与所述第一空气隙的上表面的高度差为6~10nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励