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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118841364B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310406260.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由杨蒙蒙设计研发完成，并于2023-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体结构及其制造方法。制造方法包括：衬底、位于衬底上的堆叠结构以及支撑结构，其中，堆叠结构包括多个沿垂直方向间隔排布的有源层，有源层包括多个沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布的第一有源部，第二方向和第一方向相交且均与衬底平面平行；支撑结构包括第一贯穿部和第一凸出部，第一贯穿部沿垂直方向延伸并覆盖多个第一有源部的侧壁，第一凸出部位于第一贯穿部的下方并嵌入衬底内。

本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在所述衬底上形成初始堆叠结构，所述初始堆叠结构包括沿垂直方向依次交替堆叠的牺牲层和有源层； 图形化所述初始堆叠结构以形成隔离沟槽和堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直方向依次交替堆叠的第一牺牲部和第一有源部，多个所述第一牺牲部和多个所述第一有源部均沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布；所述第二方向和所述第一方向相交且均与所述衬底平面平行； 在所述隔离沟槽中形成填充层； 去除部分所述填充层和部分所述衬底，形成沿垂直方向延伸并暴露所述堆叠结构侧壁的第一沟槽，以及位于所述第一沟槽下方并形成于所述衬底内的第一凹陷； 在所述第一沟槽和所述第一凹陷内填充绝缘材料以分别形成第一贯穿部和第一凸出部，所述第一贯穿部和所述第一凸出部构成支撑结构； 其中，在形成所述第一沟槽之后，还包括： 以所述第一沟槽为开口侧向刻蚀位于所述第一开口图案下方的所述第一牺牲部，以形成暴露所述第一有源部的上表面和下表面的间隙； 在所述第一沟槽和所述第一凹陷内填充绝缘材料以分别形成第一贯穿部和第一凸出部的同时，还包括：在所述间隙内填充所述绝缘材料，以形成覆盖所述第一有源部的上表面和下表面的水平部，所述水平部沿所述第二方向延伸并与所述第一贯穿部相交，所述第一贯穿部、所述第一凸出部以及所述水平部共同构成所述支撑结构。

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