长鑫存储技术有限公司邵亚年获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种命令产生电路和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866040B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310419609.1，技术领域涉及：G11C11/4063；该发明授权一种命令产生电路和存储器是由邵亚年;谢延鹏设计研发完成，并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种命令产生电路和存储器在说明书摘要公布了：本公开涉及集成电路领域，公开了一种命令产生电路和存储器，命令产生电路包括：命令接收模块和命令译码模块。命令接收模块，被配置为接收第一命令地址信号、第一片选信号和时钟信号，根据所述时钟信号，对所述第一命令地址信号和所述第一片选信号进行采样和寄存，得到第二命令地址信号和第二片选信号；命令译码模块，连接所述命令接收模块，被配置为接收并根据所述第二命令地址信号和所述第二片选信号，译码出片内终结命令；所述片内终结命令用于在目标芯片在执行至少两种操作中任一种的情况下，控制非目标芯片中的片内终结。本公开能够简化电路，减少电路功耗和占用面积，从而提高存储器的性能。
本发明授权一种命令产生电路和存储器在权利要求书中公布了：1.一种命令产生电路，其特征在于，所述命令产生电路包括： 命令接收模块，被配置为接收第一命令地址信号、第一片选信号和时钟信号，根据所述时钟信号，对所述第一命令地址信号和所述第一片选信号进行采样和寄存，得到第二命令地址信号和第二片选信号； 命令译码模块，连接所述命令接收模块，被配置为接收并根据所述第二命令地址信号和所述第二片选信号，译码出片内终结命令；所述片内终结命令用于在目标芯片在执行至少两种操作中任一种的情况下，控制非目标芯片中的片内终结； 所述片内终结命令用于在所述目标芯片在执行模式寄存器读取操作或读取操作的情况下，控制所述非目标芯片中的片内终结； 所述第二命令地址信号包括多个命令地址子信号；其中，在所述第二片选信号为低电平，且所述目标芯片执行所述模式寄存器读取操作或所述读取操作的情况下，第1个所述命令地址子信号为高电平有效，第2个所述命令地址子信号为低电平有效，第3个所述命令地址子信号为高电平有效，第5个所述命令地址子信号为高电平有效。
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