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龙图腾网获悉佛山市国星光电股份有限公司申请的专利一种LED模组的制备方法及LED模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118867085B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410929224.4，技术领域涉及：H10H29/85；该发明授权一种LED模组的制备方法及LED模组是由朱丽娜;陈梓敬;赵龙;章金惠;周鑫;倪亮;谢志国设计研发完成，并于2024-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED模组的制备方法及LED模组在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LED模组的制备方法及LED模组，所述方法包括：将LED芯片压合焊接在第一基板上，所述LED芯片包括衬底和芯片层，所述芯片层覆盖在所述衬底的下表面；在所述LED芯片的衬底与芯片层的侧面形成阻隔层；在所述LED芯片的芯片层与所述第一基板之间注入填充料，形成底部填充层；将所述LED芯片的衬底剥离，露出所述LED芯片的芯片层的透光层的出光面；在所述LED芯片的芯片层的透光层的出光面上喷涂荧光粉，形成荧光粉层；对所述LED芯片进行封装，形成封装层。本发明有效解决填充胶挂壁影响衬底激光剥离的效果，同时提高荧光粉层的喷涂效率，有效提高LED模组的生产效率。

本发明授权一种LED模组的制备方法及LED模组在权利要求书中公布了：1.一种LED模组的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 将LED芯片压合焊接在第一基板上，所述LED芯片包括衬底和芯片层，所述芯片层覆盖在所述衬底的下表面； 在所述LED芯片的衬底与芯片层的侧面形成阻隔层； 在所述LED芯片的芯片层与所述第一基板之间注入填充料，形成底部填充层； 将所述LED芯片的衬底剥离，露出所述LED芯片的芯片层的透光层的出光面； 所述阻隔层的高度大于所述透光层的高度，并小于等于所述透光层和所述衬底的高度之和； 所述阻隔层为热解胶材料，所述将所述LED芯片的衬底剥离，露出所述LED芯片的芯片层的透光层的出光面包括：对所述LED芯片进行加热，使所述衬底与所述阻隔层解粘，并基于激光剥离将所述衬底剥离，露出所述LED芯片的芯片层的透光层的出光面； 或所述阻隔层为UV解粘材料，所述将所述LED芯片的衬底剥离，露出所述LED芯片的芯片层的透光层的出光面包括：对所述LED芯片进行UV光照射，使所述衬底与所述阻隔层解粘，并基于激光剥离将所述衬底剥离，露出所述LED芯片的透光层的出光面； 在所述LED芯片的芯片层的透光层的出光面上喷涂荧光粉，形成荧光粉层； 对所述LED芯片进行封装，形成封装层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人佛山市国星光电股份有限公司，其通讯地址为：528051 广东省佛山市禅城区华宝南路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。